电容：470000 pF (470 nF)
　　 容差：±20%
　　 额定电压：43 V
　　 极性：有极性
　　 封装类型：表面贴装 (SMD)
　　 系列：KTS251
　　 工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　 材料等级：M
　　 特征频率：100 kHz
　　 漏电流：最大 0.01 CV 或 5 μA（取较小者）

KTS251B474M43N0T00 的核心特性包括其高电容密度和低漏电流性能，使其非常适合用于去耦、滤波和能量存储应用。该器件采用固体钽电解质，提供更长的寿命和更高的稳定性，同时具有优异的温度特性，可在极端工作环境下保持性能稳定。
　　该型号的表面贴装封装设计使其易于集成到现代PCB制造流程中，适用于高密度电子组装。其额定电压为43V，适用于中高电压电路中的电容应用，如DC-DC转换器、电源管理模块和高可靠性工业设备。
　　此外，该钽电容器的容差为±20%，在实际应用中提供了较宽的容差范围，但其性能仍保持在可接受范围内。工作温度范围从-55°C到+125°C，使其适用于严苛的环境条件，如汽车电子、航空航天和军事设备。

KTS251B474M43N0T00 主要用于需要高稳定性和高可靠性的电子设备中。常见应用包括：
　　1. 电源管理系统中的去耦电容，用于稳定供电电压并减少纹波；
　　2. 在DC-DC转换器和平滑电路中作为输出滤波电容；
　　3. 工业控制设备和自动化系统中的能量存储和释放元件；
　　4. 通信设备中的信号处理和滤波应用；
　　5. 汽车电子系统中，如ECU（电子控制单元）和车载电源模块。

KTS251B474M43N0T00 可以考虑替代型号如 KTS251B474M45N0T00 或者 AVX公司的 TAJB474K043R。在选择替代型号时，需确保其额定电压、容差、电容量以及封装尺寸与原型号匹配，以保证电路的稳定运行。