2SK3491-TL-E 时间：2025/9/21 4:24:58 阅读：6

2SK3491-TL-E是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，专为高频开关应用设计，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高效率和快速开关响应的电子系统中。该器件采用先进的沟槽式硅栅极工艺制造，具备低导通电阻（RDS(on)）、高输入阻抗以及良好的热稳定性，能够有效降低导通损耗并提升整体系统能效。作为表面贴装型器件，2SK3491-TL-E封装在小型化的SOP Advance（Small Outline Package Advanced）封装中，有助于节省PCB空间，适合高密度布局的应用场景。其额定电压和电流参数使其适用于中等功率级别的开关电路，在消费类电子产品、工业控制设备以及通信电源模块中具有较高的实用价值。此外，该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和静电放电（ESD）保护特性，增强了在复杂电磁环境下的工作可靠性。

参数

型号：2SK3491-TL-E
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）：7.0 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：28 A
　　导通电阻（RDS(on) max）：35 mΩ @ VGS = 10 V
　　导通电阻（RDS(on) typ）：28 mΩ @ VGS = 10 V
　　阈值电压（Vth）：2.0 V ~ 4.0 V
　　栅极电荷（Qg）：15 nC @ VGS = 10 V
　　输入电容（Ciss）：800 pF @ VDS = 30 V
　　开启延迟时间（td(on)）：10 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：18 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装形式：SOP Advance (SOP-8L)
　　功率耗散（Pd）：2.5 W

特性

2SK3491-TL-E采用了东芝优化的沟槽结构硅工艺，这种先进的制造技术显著降低了器件的导通电阻，从而减少了在大电流条件下的功率损耗，提高了能源利用效率。其典型RDS(on)仅为28mΩ，在同类产品中表现出优异的低阻特性，特别适用于要求高效能转换的应用场合，如笔记本电脑适配器、LED背光驱动和便携式电源系统。该MOSFET具备较低的栅极电荷（Qg=15nC），意味着在高频开关操作下可减少驱动电路的能量消耗，并加快开关速度，进而降低开关损耗，这对于提升DC-DC变换器的整体效率至关重要。
　　该器件具有出色的热性能，得益于其SOP Advance封装设计，能够在较小体积内实现良好的散热能力，确保长时间运行时的稳定性和可靠性。同时，它的工作结温可达+150°C，适应较为严苛的环境温度变化，适用于工业级应用场景。其阈值电压范围为2.0V至4.0V，兼容多种逻辑电平驱动信号，包括3.3V和5V微控制器输出，无需额外电平转换即可直接驱动，简化了外围电路设计。
　　2SK3491-TL-E还具备优良的抗噪声干扰能力和抗雪崩击穿性能，能够在瞬态过压或负载突变的情况下保持稳定工作，避免因电压尖峰导致器件损坏。此外，该MOSFET通过严格的可靠性测试，符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，满足现代电子产品对绿色环保的要求。其表面贴装封装形式支持自动化贴片生产，有利于提高生产效率和产品一致性，广泛用于批量制造的电子设备中。

应用

2SK3491-TL-E主要用于各类开关电源电路中，如同步整流型DC-DC降压转换器、AC-DC适配器、电池充电管理系统以及电机驱动模块。由于其低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于手持设备中的电源管理单元，例如智能手机、平板电脑和移动电源等便携式电子产品。此外，该器件也常见于LED照明驱动电路、USB供电模块、网络通信设备的板载电源系统以及家用电器中的控制板供电部分。其高效率和小尺寸封装优势使其成为替代传统通孔插装MOSFET的理想选择，尤其适用于追求轻薄化与高集成度的设计需求。