3SK162 时间：2025/9/7 17:07:42 阅读：24

3SK162是一款N沟道结型场效应晶体管（JFET），广泛应用于低噪声前置放大器、高频放大器以及开关电路中。作为一款经典的JFET器件，它具有良好的高频特性和低噪声性能，适用于射频（RF）和音频信号处理等场合。3SK162由东芝（Toshiba）公司制造，采用TO-72或类似的小型金属封装，适合用于对空间布局要求较高的电路设计。

参数

类型：N沟道JFET
　　漏极-源极电压（Vds）：30V
　　栅极-源极电压（Vgs）：-25V
　　漏极电流（Id）：10mA
　　功耗（Pd）：200mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-72（金属罐封装）
　　输入电容（Ciss）：约7pF
　　截止频率（fT）：约100MHz

特性

3SK162具有优异的高频响应特性，适用于100MHz范围内的射频放大应用。
　　该器件的低噪声特性使其在前置放大器设计中表现出色，尤其适合用于音频和射频信号的初级放大。
　　其结构采用JFET工艺，具有高输入阻抗，有助于减少对前级电路的负载影响。
　　由于其金属封装设计，3SK162具备良好的热稳定性和机械强度，适用于工业和高可靠性环境。
　　此外，该器件的参数一致性较好，便于在多管并联或匹配电路中使用，提高整体电路的稳定性与一致性。
　　3SK162的静态工作点设置相对简单，通常只需通过偏置电阻即可实现稳定的工作状态。

应用

3SK162常用于低噪声前置放大器、射频放大器、音频放大器、信号调制解调电路以及模拟开关电路中。
　　在射频前端设计中，3SK162被广泛应用于VHF/UHF频段的天线前置放大器，以提升接收系统的信噪比。
　　在音频设备中，该器件可用于麦克风前置放大器或高保真音响系统的输入级，提供高保真信号放大。
　　此外，3SK162也可用于模拟电路中的电压控制开关，实现信号路径的切换或增益控制。
　　在一些老式测试仪器和通信设备中，3SK162仍然是常用的JFET型号之一。