时间：2025/10/28 9:29:16
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30CTQ060PBF是一款由ONSEMI（安森美）生产的高性能肖特基势垒二极管，采用中心抽头结构设计，专为高效率电源转换应用而优化。该器件封装在TO-277（D2PAK）表面贴装封装中，具有低正向压降和快速开关特性，适用于各种需要高效整流的场合。作为一款双二极管模块，它集成了两个独立的肖特基二极管并共享一个公共端子，适合用于全波整流电路。由于其出色的热性能和电流承载能力，30CTQ060PBF广泛应用于开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器以及服务器和通信电源系统中。
这款二极管的最大反向重复电压（VRRM）为60V，连续正向整流电流（IF(AV)）可达30A，能够满足大功率应用场景的需求。同时，该器件符合RoHS标准，并采用无铅（Pb-free）封装工艺，标记为‘PBF’表示产品不含铅，符合环保要求。30CTQ060PBF具备良好的抗浪涌能力和高温稳定性，在恶劣工作环境下仍能保持可靠运行。其低功耗特性和紧凑型封装使其成为现代高密度电源设计中的理想选择，有助于提高整体系统效率并减少散热需求。
最大重复反向电压（VRRM）：60V
直流阻断电压（VR）：60V
平均整流电流（IF(AV)）：30A（单个二极管）
RMS正向电流（IF(RMS)）：21A
峰值非重复正向浪涌电流（IFSM）：200A（8.3ms半正弦波）
正向电压降（VF）：约0.57V（典型值，@Tc=25°C, IF=15A）
最大正向电压降（VF(max)）：0.70V（@Tc=25°C, IF=30A）
反向漏电流（IR）：≤ 1.0mA（@Tc=25°C, VR=60V）；≤ 100mA（@Tc=125°C, VR=60V）
工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
封装类型：TO-277（D2PAK）
安装方式：表面贴装（SMD）
引脚数：3
热阻（RθJC）：约1.0°C/W（每个二极管）
是否无铅：是（Pb-free）
符合RoHS：是
30CTQ060PBF的核心优势在于其采用了先进的肖特基势垒技术，实现了极低的正向导通压降与超快的开关响应速度。这种设计显著降低了导通损耗和反向恢复时间，从而提升了电源系统的整体能效。与传统的PN结二极管相比，肖特基二极管没有少数载流子存储效应，因此不存在反向恢复电荷（Qrr），避免了因反向恢复引起的开关尖峰和电磁干扰问题，特别适用于高频开关环境。此外，该器件在高温条件下仍能保持稳定的电气性能，即使在125°C以上的结温下，反向漏电流的增长也受到良好控制，确保长期运行的可靠性。
该二极管采用TO-277封装，具有优异的热传导性能，可通过PCB背面的散热焊盘有效将热量传递至电路板，提升散热效率。该封装支持自动化贴片生产，便于大规模制造。器件内部结构经过优化，增强了机械强度和抗热循环能力，能够在多次温度变化中保持连接稳定性。此外，中心抽头配置使得在全波整流拓扑中仅需一个器件即可替代两个分立二极管，节省了PCB空间并简化了布局设计。该器件还具备较强的抗浪涌能力，可承受高达200A的瞬态电流冲击，适用于可能出现输入异常或负载突变的应用场景。所有材料均符合国际环保标准，不含卤素且通过了严格的可靠性测试，适用于工业级和通信级设备。
30CTQ060PBF广泛应用于各类高效率、高功率密度的电源系统中。典型应用包括服务器电源、电信整流模块、数据中心供电单元以及工业用DC-DC转换器。在这些系统中，它常被用作输出整流级元件，尤其是在低压大电流输出的同步整流架构中，虽然不能完全替代MOSFET，但在成本敏感或控制复杂度受限的设计中仍具有重要地位。此外，该器件也适用于太阳能微逆变器、UPS不间断电源、电动工具充电器和LED驱动电源等消费类及工业类产品。
在便携式设备的大功率适配器中，30CTQ060PBF可用于次级侧整流，帮助实现更高的转换效率和更小的体积。其高电流承载能力和优良的热性能使其适合长时间连续工作的设备。在车载电子系统中，尽管其额定电压偏低，但若配合适当的保护电路，也可用于某些辅助电源模块的整流环节。此外，由于其快速响应特性，该器件还可用于防止反接保护电路和能量回馈路径中的防倒灌二极管。总之，凡是需要高效、稳定、紧凑型整流解决方案的场合，30CTQ060PBF都是一个极具竞争力的选择。
MBR30H60CTG
VS-30CTQ060-M3
STPS30L60CT
FDL30H60C
