时间：2025/9/12 14:19:31
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KTK5132S 是一款由韩国KEC公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理、DC-DC转换器、马达控制以及各种需要高效率开关应用的场合。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具有低导通电阻、高耐压和高电流能力，能够在较高的开关频率下工作，从而减小外部滤波元件的尺寸。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：120A（在Tc=25℃）
最大脉冲漏极电流（Idm）：480A
导通电阻（Rds(on)）：约2.3mΩ（典型值，当Vgs=10V）
功耗（Pd）：200W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-263（D2PAK）
KTK5132S 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。此外，该器件具备较高的电流承载能力，能够在极端负载条件下保持稳定运行。其采用的TO-263封装形式具有良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
该MOSFET还具有良好的热稳定性，在高温环境下仍能维持性能稳定，适合用于汽车电子、工业电源和大功率便携设备等应用场景。此外，其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高系统整体能效。
值得一提的是，KTK5132S 的设计考虑了短路和过载情况下的可靠性，具备一定的抗冲击能力，有助于提升系统的整体鲁棒性。其栅极驱动电压范围较宽，适用于多种驱动电路设计。
KTK5132S 常用于高性能电源系统中，如同步整流DC-DC转换器、电池管理系统、马达驱动电路、电源负载开关、功率放大器以及汽车电子控制系统等。其高效率和高可靠性的特点使其成为工业自动化设备、新能源系统、电动工具和智能家电中理想的功率开关元件。
SiR182DP-T1-GE3, FDS6680, IRF18N20C, KTK5136S
