时间：2025/5/8 18:25:08
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LGT67F-R2-3-K3-20是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于高效率开关电源、电机驱动和逆变器等场景。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，能够显著降低功耗并提升系统性能。
其封装形式为TO-220，具有良好的散热性能，适合在高温环境下使用。此外，该器件支持大电流操作，并且具备优异的电气特性和稳定性。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：15A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：45nC
总功耗：160W
工作温度范围：-55℃ to 150℃
1. 极低的导通电阻确保了更低的传导损耗，从而提高整体能效。
2. 快速开关速度，可有效减少开关损耗，适用于高频应用。
3. 高击穿电压设计，增强了器件的可靠性和抗干扰能力。
4. 支持高电流输出，适应多种功率转换场景。
5. 封装具有优良的热传导性，确保长时间稳定运行。
6. 工作温度范围宽广，适合恶劣环境下的使用需求。
1. 开关电源（SMPS）
2. 直流-直流转换器
3. 电机驱动控制
4. 光伏逆变器
5. 电池管理系统
6. 汽车电子中的负载开关和保护电路
LGT67F-R2-3-K5-20, IRFZ44N, FDP55N50
