时间:2025/12/28 15:09:15
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KTC5103是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统中。该器件采用先进的沟槽式技术,具备低导通电阻、高效率和优良的热性能,适用于各种高功率密度和高效率要求的应用。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流(ID):120A(在25°C)
最大漏源电压(VDS):30V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):3.8mΩ(典型值)
栅极电荷(Qg):75nC(典型值)
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装形式:TO-263(D2PAK)
KTC5103采用了先进的沟槽式功率MOSFET技术,具备以下显著特性:
1. **超低导通电阻**:典型RDS(on)仅为3.8mΩ,有助于降低导通损耗,提高系统效率。
2. **高电流承载能力**:在25°C下最大漏极电流可达120A,适用于高功率应用场景。
3. **优异的热性能**:采用TO-263(D2PAK)表面贴装封装,具有良好的散热能力,适合高密度功率设计。
4. **高可靠性**:器件设计满足AEC-Q101汽车级标准,适用于汽车电子系统。
5. **栅极电荷低**:Qg为75nC,有助于减少开关损耗,提升高频工作性能。
6. **宽工作温度范围**:支持-55°C至+175°C的工作温度,适应恶劣环境。
这些特性使得KTC5103成为高性能电源系统中理想的功率开关器件。
KTC5103主要应用于以下领域:
1. **DC-DC转换器**:适用于高效同步整流降压(Buck)或升压(Boost)转换器设计。
2. **电池管理系统**:用于电动工具、电动自行车、储能系统等电池供电设备的功率控制。
3. **电机驱动电路**:如电动车辆、机器人、工业自动化设备中的直流电机控制。
4. **负载开关与电源管理模块**:如服务器电源、通信设备、UPS不间断电源等系统中的高效率开关控制。
5. **汽车电子系统**:包括车载充电器、车载逆变器、电动助力转向系统等。
其优异的导通特性和热稳定性使其在高功率密度和高效率需求的应用中表现出色。
SiR178DP-T1-GE3, Nexperia PSMN1R2-30PL, Infineon BSC016N03MS