KDR730V-RTL 时间：2025/9/11 14:08:37 阅读：20

KDR730V-RTL 是一款由Kec Corporation（KEC）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率、高频率开关应用设计，广泛用于电源管理、DC-DC转换器、电池充电系统以及电机控制等场合。该MOSFET采用了先进的沟槽式技术，提供了较低的导通电阻（Rds(on)）和快速的开关特性，从而有效降低开关损耗并提高系统效率。此外，KDR730V-RTL采用SOT-223封装，具有良好的散热性能，适用于紧凑型电子设备的设计。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：60A（在Tc=25°C）
　　功耗（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：SOT-223

特性

KDR730V-RTL MOSFET具备多项优异特性，使其适用于多种高功率密度应用。首先，其低导通电阻（典型值为6.5mΩ）可显著减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。其次，该器件具有高电流承载能力，能够在高温环境下保持稳定工作，适用于高负载应用。此外，KDR730V-RTL的栅极电荷（Qg）较低，有助于提高开关速度并减少开关损耗，适用于高频开关电路。其SOT-223封装形式不仅节省空间，还提供良好的热管理能力，确保在高功率应用中的稳定运行。该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和高耐用性，适用于要求严苛的工业和汽车电子系统。最后，KDR730V-RTL的高可靠性设计使其在长期运行中表现出色，适用于需要高稳定性和长寿命的电源系统。

应用

KDR730V-RTL MOSFET因其优异的电气特性和紧凑的封装形式，被广泛应用于多个领域。在电源管理方面，该器件可用于高效DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，适用于笔记本电脑、服务器和通信设备的电源系统。在电池管理系统中，它可作为充放电控制开关，广泛应用于电动工具、无人机和便携式储能设备。此外，KDR730V-RTL还可用于电机驱动和H桥电路，适用于无刷直流电机控制和机器人系统。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、LED照明系统和电动助力转向系统。其高可靠性和良好的热性能也使其适用于工业自动化设备、不间断电源（UPS）和智能电表等应用场景。