STP11NK50Z 时间：2025/7/23 5:04:03 阅读：10

STP11NK50Z 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，广泛用于高电压和高功率的应用场合。该器件采用先进的技术，具有低导通电阻、高耐压能力以及良好的热稳定性，适用于开关电源、电机控制、照明系统、电源管理等领域。STP11NK50Z 采用TO-220封装，具备良好的散热性能，能够有效应对高电流负载。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：500V
　　最大漏极电流（Id）：11A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.55Ω（典型值）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2~4V
　　最大功耗（Ptot）：65W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

STP11NK50Z 具备多项优异特性，首先是其高耐压能力，漏源电压最大可达500V，使其适用于高电压开关电路。其次是其导通电阻较低，典型值为0.55Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET具有较强的电流承载能力，额定漏极电流为11A，适合中高功率应用。其TO-220封装设计提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能稳定运行。STP11NK50Z 还具备出色的热稳定性与抗过载能力，可在高温环境下长时间工作而不影响性能。该器件的栅极阈值电压范围为2~4V，适用于多种驱动电路设计。
　　此外，STP11NK50Z 采用了先进的制造工艺，提高了器件的可靠性和耐用性，降低了因过热或过流导致的故障率。其结构设计优化了开关特性，减少了开关损耗，提高了整体能效。这些特性使得 STP11NK50Z 成为许多工业控制、电源转换和电机驱动应用的理想选择。

应用

STP11NK50Z 主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器、照明系统（如LED驱动器）、电机控制、逆变器、不间断电源（UPS）以及各种功率管理电路中。由于其高耐压、低导通电阻和良好的散热性能，特别适合用于需要高效率和高可靠性的工业设备、消费电子产品和汽车电子系统中。在电机控制应用中，该MOSFET可作为H桥电路中的关键开关元件，实现电机的正反转和调速控制。在电源管理系统中，它可用于负载开关、电池充放电管理以及电源隔离等场景。