时间:2023/4/11 10:14:00
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NUP412VP5T5G技术参数
最大雪崩电压VBR(V):12.700
反向工作电压VRWM(V):9
反向漏电流IR(nA):1000
箝位电压VC(V):-
封装/温度(℃):SOT-953/-55~150
描述:低电容12V四ESD保护器
| 厂商 |
|---|
| ON Semiconductor |