KSLCBBL1FB4G3A 是一款由东芝(Toshiba)生产的功率半导体模块,主要用于工业和汽车领域的电力转换应用。该模块采用 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)技术,能够实现高效的开关操作以及低损耗的电流控制。其设计结合了先进的封装技术和卓越的热管理性能,适用于需要高可靠性和高性能的场合。
型号:KSLCBBL1FB4G3A
类型:IGBT 功率模块
额定电压:1200V
额定电流:600A
开关频率范围:高达 20kHz
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
封装形式:双面冷却模块
隔离方式:陶瓷基板绝缘
KSLCBBL1FB4G3A 具备以下主要特性:
1. 高效率:优化的 IGBT 芯片设计和反并联二极管,提供低导通压降和开关损耗。
2. 热稳定性:采用双面冷却技术,确保模块在高温环境下仍能保持良好的散热性能。
3. 高可靠性:通过严格的测试流程和高质量材料选择,保证在恶劣环境下的长期运行。
4. 小型化设计:紧凑的封装结构有助于减少整体系统体积。
5. 宽温范围:支持从 -40°C 到 +150°C 的宽广工作温度区间,适应各种极端条件。
6. 易于集成:标准化的引脚布局和接口设计,便于与现有系统兼容。
KSLCBBL1FB4G3A 广泛应用于以下领域:
1. 工业设备:如变频器、伺服驱动器、不间断电源(UPS)等。
2. 新能源:包括太阳能逆变器、风力发电变流器等。
3. 电动汽车:用于电机控制器和车载充电器。
4. 铁路运输:牵引逆变器和其他相关电力电子设备。
5. 焊接设备:高效能量传输和精确控制的焊接机。
KSLCBBL1FA4G3A
KSLCBBL1FB4G2A
KSLCBBL1FA4G2A