时间：2025/6/26 12:27:21
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ZVN2110GTA是Nexperia公司生产的N沟道MOSFET晶体管。它采用SOT23封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于各种高效能的功率转换应用。
该器件广泛用于消费电子、通信设备以及工业控制领域中的电源管理部分。其小型化设计和卓越性能使其成为便携式设备的理想选择。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：0.42A
导通电阻(Rds(on))：1.7Ω（在Vgs=4.5V时）
总功耗(Ptot)：420mW
工作温度范围：-55℃至150℃
ZVN2110GTA拥有非常低的导通电阻，从而减少了传导损耗并提高了效率。
此外，该器件还具备出色的热稳定性和电气可靠性，确保长期使用过程中性能的一致性。
由于采用了SOT23小尺寸封装形式，因此非常适合空间受限的应用场景。
同时，它的快速开关能力也有助于降低开关损耗，在高频操作条件下表现优异。
该MOSFET适合应用于便携式电子设备中的负载开关、DC-DC转换器、电池管理电路、LED驱动以及音频放大器等场合。
在消费类电子产品中，如智能手机和平板电脑里，可以作为电源管理单元的一部分来控制不同的功能模块供电。
另外，在汽车电子系统中也可用作小型继电器替代方案或者信号调节组件。
BSS138, FDN340P, 2SK3629
