晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　电流增益（hFE）：110 至 800（根据不同等级）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　封装类型：TO-92 或 SOT-23

KSD5058晶体管具有优良的开关特性和放大性能，适用于多种电子电路设计。其高电流增益（hFE）范围为110至800，能够根据不同的应用需求选择合适的等级。该晶体管的过渡频率（fT）为100MHz，表明其在高频条件下仍能保持良好的放大性能，适合用于射频和高速开关应用。此外，KSD5058的最大集电极电流为100mA，功耗为300mW，能够在中等功率条件下稳定工作。
　　该晶体管的集电极-发射极电压为30V，集电极-基极电压为50V，使其在较高的电压条件下仍能保持良好的耐压能力。KSD5058的封装形式包括TO-92和SOT-23，适用于不同的电路布局需求，便于在各种电子设备中进行安装和使用。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适合在恶劣的环境条件下运行，确保了在工业级应用中的稳定性。
　　与其他常见的NPN晶体管（如2N3904、BC547等）相比，KSD5058在电流增益和频率响应方面表现出色，适用于需要较高性能的电路设计。其低饱和压降和快速开关特性使其在数字开关电路和脉冲电路中表现优异。此外，KSD5058的制造工艺成熟，价格适中，是许多电子工程师在设计过程中首选的晶体管之一。

KSD5058晶体管广泛应用于各类电子设备中，尤其适合用于开关和放大电路。在数字电路中，它常用于驱动继电器、LED、小型电机等负载，作为开关元件使用。在模拟电路中，KSD5058可用于音频放大器、信号放大器以及射频放大电路。此外，它还被广泛用于传感器电路、电源管理电路以及各种嵌入式控制系统中。由于其良好的频率响应和高电流增益特性，KSD5058也常用于无线通信设备、射频模块以及高频振荡器等高频电路中。

2N3904, BC547, PN2222, 2N2222, KSP5058