时间：2025/5/12 10:17:07
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FDP3652是一款N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），适用于高频开关和功率管理应用。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和快速的开关速度，适合于各种高效能的应用场景。
该芯片通常被用作电源转换、电机驱动和负载切换中的关键元件。其封装形式为SOT-23，这种小型化封装使得它非常适合空间受限的设计。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±12V
连续漏极电流：2.8A
导通电阻：0.18Ω
总栅极电荷：3nC
工作温度范围：-55℃至+150℃
FDP3652的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高速开关性能，能够满足高频开关应用的需求。
3. 小型SOT-23封装，节省PCB板空间。
4. 较宽的工作温度范围，确保在极端环境下的可靠性。
5. 稳定的电气性能，适用于多种不同的电子电路设计。
FDP3652广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和DC-DC转换。
2. 电池管理系统（BMS）中的负载切换和保护电路。
3. 消费类电子产品中的电机驱动和信号切换。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 可穿戴设备和其他便携式设备中的功率管理单元。
FDS6670A, FDN340P, BSS138
