FQU7N10 时间：2025/8/24 10:39:08 阅读：19

FQU7N10是一款由富昌电子（Fairchild Semiconductor）生产的N沟道增强型功率MOSFET，常用于电源管理和开关电路中。该器件具有低导通电阻、高耐压、高电流能力以及优异的热稳定性，适合应用于DC-DC转换器、同步整流、电源开关、马达控制等多种电力电子系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：100V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：7A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值0.85Ω @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）
　　功率耗散(Pd)：50W

特性

FQU7N10具备多项优异的电气和热性能。其低导通电阻（Rds(on)）能够显著降低导通损耗，提高系统效率。该MOSFET采用先进的平面工艺制造，具有高耐用性和稳定性。此外，FQU7N10的TO-252封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于在印刷电路板（PCB）上安装和布局。
　　该器件具有较高的电流承载能力，能够在7A的连续漏极电流下稳定工作，适用于中高功率应用。其最大漏源电压为100V，使其能够在较高的电压环境下可靠运行。FQU7N10还具有良好的抗雪崩能力和抗过热能力，能够在恶劣的工作条件下保持稳定的性能。
　　在驱动特性方面，FQU7N10的栅极电荷较低，有助于提高开关速度并减少开关损耗。同时，该器件的栅源电压范围为±20V，具有较好的驱动兼容性，能够与多种控制电路配合使用。

应用

FQU7N10广泛应用于各类电源管理系统和电力电子设备中。常见用途包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电源开关、电池管理系统（BMS）、电机控制电路、逆变器以及各种工业自动化设备。由于其良好的热稳定性和高效的导通性能，FQU7N10也非常适合用于需要长时间连续工作的高可靠性系统。
　　在消费类电子产品中，FQU7N10可用于电源适配器、充电器、LED驱动电路等。在工业领域，该器件可用于PLC控制模块、伺服电机驱动器、不间断电源（UPS）等设备。此外，在新能源应用如太阳能逆变器、电动车控制系统中，FQU7N10同样具备良好的适用性。