FQAF90N08 时间：2025/8/15 16:15:54 阅读：8

FQAF90N08 是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），设计用于高效率电源转换应用。该器件采用了先进的平面技术，具有较低的导通电阻（RDS(on)）和快速开关特性，适用于诸如DC-DC转换器、同步整流器以及电机控制等应用。其封装形式为DPAK（TO-252），具有良好的热性能和机械稳定性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：90A
　　最大漏-源电压（VDS）：80V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值5.8mΩ @ VGS=10V
　　功耗（PD）：160W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装：DPAK（TO-252）

特性

FQAF90N08 MOSFET采用先进的平面工艺技术，使其在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗。该器件的导通电阻非常低，仅为5.8毫欧（在VGS=10V时），从而显著减少了功率损耗并提高了系统效率。此外，FQAF90N08具有快速的开关速度，适用于高频开关应用，能够有效降低开关损耗。其DPAK封装形式提供了良好的散热性能，能够在高功率密度环境中稳定运行。该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和热稳定性，确保在极端工作条件下的可靠性和耐用性。
　　FQAF90N08的栅极驱动设计允许其在标准逻辑电平下工作，简化了控制电路的设计。该器件的低输入电容（CISS）和低反向传输电容（CRSS）也有助于提高开关速度并降低驱动损耗。此外，其高耐用性和抗过载能力使其在严苛环境下依然表现出色。FQAF90N08还具有较高的dv/dt耐受能力，能够在高频开关应用中保持稳定运行而不发生误触发。

应用

FQAF90N08 主要用于需要高效率和高功率密度的电源转换系统。常见应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电机控制、电源管理模块、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及工业自动化设备中的电源部分。由于其低导通电阻和高电流承载能力，FQAF90N08也常用于高功率LED照明驱动、车载电源系统以及电源适配器等应用中。该器件非常适合用于需要快速开关和低损耗设计的现代电源系统，有助于提高整体能效并减少散热需求。