KPC1020 是一款由 KEC Corporation 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件具有低导通电阻、高电流能力和优异的热稳定性,适用于各种高频开关应用。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压(VDS):200V
栅源电压(VGS):±30V
漏极电流(ID):连续 10A,脉冲 50A
导通电阻(RDS(on)):最大 0.68Ω(在 VGS=10V 时)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:TO-220
KPC1020 具备多项优异的电气和热性能特性,首先,其低导通电阻(RDS(on))确保在高电流应用中减少功率损耗,提高系统效率。
其次,该 MOSFET 的最大漏源电压为 200V,适用于中高压功率转换应用,如开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和马达控制器。
此外,KPC1020 的 TO-220 封装提供了良好的散热性能,有助于在高功率密度设计中维持稳定的运行温度。
其高栅极电压容限(±30V)增强了器件在各种驱动条件下的可靠性,防止因栅极过电压而导致的损坏。
同时,KPC1020 的脉冲电流能力可达 50A,适用于需要瞬态高电流的应用,如电动工具和电源负载突变场合。
最后,该器件的宽工作温度范围(-55°C 至 +150°C)使其适用于各种恶劣环境条件下的稳定运行。
KPC1020 主要用于中高压功率转换系统,如开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、电池充电器和马达控制电路。
此外,该器件也适用于各种电源管理应用,包括负载开关、功率因数校正(PFC)电路和电源分配系统。
由于其高电流能力和良好的热稳定性,KPC1020 也常用于电动工具、工业自动化设备和消费类电子产品的电源模块中。
同时,在需要高可靠性和高效率的电力电子系统中,如不间断电源(UPS)和太阳能逆变器,KPC1020 也能发挥重要作用。
IRFZ44N, FDPF10N20, STP10NK20Z, 2SK1020