时间：2025/12/27 9:12:10
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UTT48N06是一款由优特（UTT）半导体公司推出的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等高效率功率转换场景。该器件采用先进的平面栅极工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点，适用于中等功率级别的电子系统设计。UTT48N06的额定电压为60V，能够承受较高的漏源电压，在10V栅极驱动条件下可提供高达48A的连续漏极电流，适合用于DC-DC转换器、电池管理系统、电动工具以及各类工业控制设备中作为主开关元件。其封装形式通常为TO-220或TO-252（DPAK），具备良好的散热性能与安装兼容性，便于在各种PCB布局中实现高效热管理和空间优化。此外，该MOSFET还内置了快速恢复体二极管，增强了在感性负载切换过程中的可靠性和抗冲击能力。由于其优异的电气特性与成本优势，UTT48N06成为许多消费类电子产品和工业级应用中的理想选择之一。
型号：UTT48N06
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（VDS）：60V
最大连续漏极电流（ID）@25℃：48A
最大脉冲漏极电流（IDM）：192A
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：≤18mΩ
导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：≤24mΩ
阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.5V
输入电容（Ciss）：约3300pF @ VDS=30V, f=1MHz
输出电容（Coss）：约950pF @ VDS=30V, f=1MHz
反向恢复时间（trr）：约35ns
工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-220 / TO-252
UTT48N06具备出色的导通性能和开关响应能力，其核心优势在于极低的导通电阻RDS(on)，在VGS=10V时典型值仅为18mΩ，这一特性显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效。这对于大电流应用场景尤为重要，例如在电池供电系统或高频率开关电源中，低RDS(on)有助于减少发热，提升能量利用率并延长设备使用寿命。
该器件采用了优化的平面栅结构工艺，确保了良好的栅极控制能力和稳定的阈值电压特性，使得在不同温度和负载条件下仍能保持一致的开关行为。同时，UTT48N06具有较高的电流承载能力，在25℃环境温度下可支持高达48A的连续漏极电流，并可在短时间内承受接近200A的脉冲电流，表现出优异的动态负载适应能力。
热稳定性方面，UTT48N06的工作结温范围宽达-55℃至+150℃，能够在严苛的工业环境或高温运行条件下稳定工作。其封装设计有利于热量快速传导至散热器或PCB铜层，有效防止局部过热导致的性能下降或器件损坏。
此外，该MOSFET内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr约35ns），在处理感性负载如电机绕组或变压器时，能有效抑制电压尖峰和振荡现象，提高系统可靠性。综合来看，UTT48N06以其高效率、高可靠性和良好的性价比，成为众多功率电子设计工程师的优选器件之一。
UTT48N06广泛应用于多种需要高效功率开关的电子系统中。常见用途包括但不限于：开关模式电源（SMPS）、同步整流器、DC-DC升压/降压转换器、电池充电与保护电路、电动车控制器、电动工具驱动模块、LED照明电源、逆变器以及工业自动化控制系统等。由于其具备高电流处理能力和低导通损耗，特别适合用于大电流输出的电源设计中，例如笔记本电脑适配器、便携式储能设备和无人机动力系统。在电机驱动领域，UTT48N06可用于H桥电路或半桥拓扑结构中作为上下桥臂开关，实现对直流电机或步进电机的精确控制。此外，在UPS不间断电源、太阳能充电控制器及家用电器（如电风扇、洗衣机）的功率控制单元中也有广泛应用。得益于其坚固的封装和优良的热管理特性，该器件也能在较为恶劣的电磁和温度环境中长期稳定运行，满足工业级产品的设计需求。
UT4806, FQP48N06, STP48N06F4, IRFZ48N
