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GA1206A221FXABT31G 发布时间 时间:2025/6/30 19:49:29 查看 阅读:5

GA1206A221FXABT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换等应用。该芯片采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和高效率的特点,能够显著降低系统功耗并提升整体性能。
  该器件属于沟道增强型 MOSFET,能够在高频条件下实现高效的开关操作,同时具备良好的热稳定性和可靠性。

参数

型号:GA1206A221FXABT31G
  类型:N-Channel MOSFET
  漏源极击穿电压:60V
  连续漏极电流:22A
  导通电阻:1.8mΩ(典型值)
  栅极电荷:39nC
  总电容:540pF
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-263-3

特性

GA1206A221FXABT31G 具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够有效减少传导损耗,提高系统效率。
  2. 高速开关性能,适合高频应用场合。
  3. 强大的电流承载能力,支持高达 22A 的连续漏极电流。
  4. 宽泛的工作温度范围 (-55°C 至 +175°C),确保在极端环境下的可靠性。
  5. 小巧的封装设计,便于 PCB 布局和散热管理。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电子产品中。

应用

该芯片适用于多种电力电子应用领域,包括但不限于:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 中的功率开关。
  2. 电机驱动电路中的高效功率转换。
  3. DC-DC 转换器中的同步整流。
  4. 电池保护及负载切换。
  5. 各类工业自动化设备中的功率控制模块。
  GA1206A221FXABT31G 凭借其优异的性能表现,在需要高效率、低功耗解决方案的应用场景中表现出色。

替代型号

GA1206A221FXABT32G, IRFZ44N, FDP5512

GA1206A221FXABT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容220 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-