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PJQ5443_R2_00001 发布时间 时间:2025/8/14 5:50:12 查看 阅读:19

PJQ5443_R2_00001 是一款由 Renesas(瑞萨)生产的标准JFET(结型场效应晶体管)器件,常用于模拟电路中的开关和放大应用。该器件采用P沟道结构,具有低噪声、高可靠性和良好的线性特性,适合用于音频放大器、传感器接口和精密模拟开关等场景。R2_00001后缀通常表示特定的封装形式或电气特性分组。

参数

类型:P沟道JFET
  最大漏源电压(Vds):-30V
  最大栅源电压(Vgs):-30V
  最大漏极电流(Id):-10mA
  导通电阻(Rds(on)):约100Ω(典型值)
  截止频率(fT):100MHz
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOT-23(具体封装可能因后缀而异)

特性

PJQ5443_R2_00001 以其低噪声和高线性度著称,非常适合用于高保真音频放大器中的前置放大阶段。其P沟道结构允许在低电压条件下工作,从而降低功耗并提高系统效率。此外,该器件具有良好的热稳定性和抗静电能力,适用于恶劣环境条件下的应用。该JFET的栅极具有较高的输入阻抗,使得其非常适合用于高阻抗信号源的缓冲或放大。由于其结构特性,PJQ5443在模拟信号处理中表现出色,特别是在需要最小信号失真的场合。

应用

PJQ5443_R2_00001 主要应用于模拟电子系统中,如音频放大器、前置放大器、混音器和模拟开关电路。此外,它也适用于传感器接口电路、低噪声放大器(LNA)和精密测量设备中的信号调理模块。由于其良好的温度稳定性和可靠性,该器件也常用于工业控制和汽车电子系统。

替代型号

PJQ5443_R2_00001的替代型号包括2N5457、J113、BF245C等P沟道JFET晶体管。这些型号在电气特性和封装上可能略有不同,使用时需参考具体数据手册以确保电路兼容性。

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PJQ5443_R2_00001参数

  • 现有数量2,865现货
  • 价格1 : ¥5.88000剪切带(CT)3,000 : ¥2.28761卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)9A(Ta),50A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)12 毫欧 @ 10A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)23 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2767 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2W(Ta),63W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装DFN5060-8
  • 封装/外壳8-PowerVDFN