时间：2025/7/12 4:06:35
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HMK107B7152MAHT 是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的制造工艺设计，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，能够显著提高系统效率并减少能量损耗。
这款MOSFET属于N沟道增强型场效应晶体管，其主要特点是能够在高频条件下提供高效的功率转换，并支持较高的负载电流。此外，它还具备短路保护和过温保护功能，从而提高了系统的稳定性和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压Vds：70V
最大栅源电压Vgs：±20V
持续漏极电流Id：135A
导通电阻Rds(on)：1.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗Ptot：265W
结温范围Tj：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-247
HMK107B7152MAHT 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻使得传导损耗大幅降低，非常适合高效能应用。
2. 高速开关性能减少了开关损耗，有助于提升整体系统的效率。
3. 内置的ESD保护电路增强了器件在恶劣环境中的抗干扰能力。
4. 良好的热稳定性允许在高温环境下长时间工作。
5. 支持大电流负载，适用于工业级高功率应用场景。
6. 短路耐受能力和过温保护功能提高了系统的安全性。
该功率MOSFET适用于多种电力电子领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关模式电源（SMPS）设计。
2. 电动汽车及混合动力汽车中的电机控制。
3. 工业自动化设备中的变频驱动。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换系统。
5. 高效DC-DC转换器模块。
6. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制电路。
HMK107B7152MAAT, IRFP260N, FDP18N70
