KIA75N75 时间：2025/12/28 14:31:58 阅读：8

KIA75N75 是一款由韩国公司KEC（Korea Electronics）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频开关应用。该器件具有高耐压、大电流能力和较低的导通电阻，适用于电源转换、电机控制、DC-DC变换器、UPS系统、工业自动化设备等高功率电子系统中。KIA75N75通常采用TO-264封装，具有良好的散热性能，能够在较高工作温度下稳定运行。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：75V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：75A（Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：300A
　　功耗（Pd）：250W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：TO-264

特性

KIA75N75具备多项优良的电气和热性能，能够满足高功率应用的需求。其最大漏源电压为75V，能够在较高的电压下稳定工作，适用于大多数电源管理系统。该MOSFET的最大连续漏极电流可达75A，在适当的散热条件下可支持更高的电流负载，适用于大功率负载开关和电机驱动应用。
　　该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)），通常在导通状态下可低至几毫欧级别，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。此外，KIA75N75具有快速开关特性，适合用于高频开关电源和DC-DC转换器，有助于减小电源体积并提高整体性能。
　　KIA75N75采用了先进的沟槽式MOSFET技术，优化了电流密度和热分布，提升了器件的可靠性和耐用性。其封装形式为TO-264，具备良好的散热能力，有助于将热量快速传导到外部散热片，从而保持芯片温度在安全范围内。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，可在±20V内正常工作，兼容多种驱动电路设计，便于集成到不同的控制系统中。同时，KIA75N75在极端温度条件下仍能保持稳定性能，适合用于工业级和高可靠性应用场合。

应用

KIA75N75广泛应用于需要高功率处理能力的电子设备中，包括电源供应器、DC-DC转换器、负载开关、电机控制器、逆变器、不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备等。其高电流和高耐压特性使其成为高性能功率开关的理想选择，尤其适用于需要高效率和低损耗的开关电源系统。
　　在电源管理系统中，KIA75N75可作为主开关元件用于升压或降压电路，实现高效的能量转换。在电机控制和电动工具应用中，它可作为H桥电路的功率开关，实现对电机转速和方向的精确控制。此外，在工业控制和自动化系统中，该器件可用于继电器替代、负载切换和高电流驱动等场合，提高系统的可靠性和响应速度。
　　由于其优异的热性能和电气特性，KIA75N75也常用于高功率LED照明驱动、电池充放电管理、太阳能逆变器以及电动汽车的辅助电源系统等新兴领域。