类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：75A（在25°C）
　　导通电阻(Rds(on))：最大6.5mΩ（当Vgs=10V时）
　　功率耗散(Pd)：130W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：PowerTrench? MLPF（5x6mm）

FDS7750A具有多个关键特性，使其成为高性能电源应用的理想选择。
　　首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效。在高电流应用中，这种低电阻特性尤为重要，因为它可以减少热量产生，提升系统的热稳定性。
　　其次，FDS7750A采用先进的PowerTrench?技术，优化了器件的沟槽结构，使其在高频率开关操作中具有出色的性能。这种技术不仅提高了器件的开关速度，还减少了开关损耗，使得FDS7750A适用于高频率开关电源设计。
　　此外，该MOSFET采用紧凑的MLPF封装（5x6mm），具有良好的散热性能。这种封装形式有助于在有限的空间内实现高效的热管理，适合高密度PCB布局，尤其是在空间受限的应用中，如便携式电子设备和服务器电源模块。
　　最后，FDS7750A的工作温度范围宽广，从-55°C到175°C，确保了在极端环境下的可靠运行。这使其适用于工业级和汽车级应用，其中工作环境可能较为恶劣。

FDS7750A广泛应用于多种高性能电源管理系统中。其主要应用领域包括同步降压转换器和升压转换器，用于高效地将输入电压转换为所需的输出电压。在服务器和电信设备的电源模块中，FDS7750A可用于DC-DC转换器和负载开关，提供高效率和高可靠性的解决方案。
　　此外，该器件还适用于电池管理系统，例如在电动工具、无人机和便携式电子产品中，作为高效率的功率开关元件。由于其低导通电阻和高电流能力，FDS7750A也可以用于电机控制、电源管理模块以及电源适配器的设计中。
　　在汽车电子系统中，FDS7750A可用于车载充电器、电池管理系统以及LED照明驱动电路，满足汽车应用对高可靠性和宽温度范围的要求。

Si7496BDP-T1-GE3, FDS8850, IRF7496