时间：2025/12/26 8:48:07
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BAS21T-7-F是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装硅开关二极管，属于小信号肖特基二极管类别。该器件采用SOD-323（SC-89）超小型封装，适用于需要高速开关性能和低正向电压降的应用场景。BAS21T-7-F因其紧凑的封装尺寸和优异的高频特性，广泛应用于便携式电子设备、通信系统、电源管理电路以及信号处理模块中。该二极管具有良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适合自动化贴片生产工艺，满足现代电子产品对高集成度和小型化的需求。
BAS21T-7-F的命名遵循标准元器件命名规则：'BAS'表示其为通用开关二极管系列，'21'为产品型号标识，'T'代表晶体管外形代码，'-7'表示卷带包装，'-F'则指代特定的制造商或版本标识。该器件符合RoHS环保要求，并通过了无卤素认证，体现了对环境友好设计的支持。由于其出色的反向恢复时间（通常在纳秒级别），BAS21T-7-F非常适合用于高频整流、箝位电路、保护电路及逻辑电平转换等应用场合。此外，该器件具备较高的峰值反向电压（可达70V），同时保持较低的漏电流，在多种工作条件下均能提供稳定的电气性能。
类型：肖特基二极管
配置：单个
工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
正向电压（VF）：最大450mV（在IF=1mA时）
反向击穿电压（VBR）：最小70V
平均整流电流（Io）：200mA
反向恢复时间（trr）：最大4ns
电容（Ct）：约1.5pF（在VR=0V，f=1MHz条件下）
封装/外壳：SOD-323（SC-89）
BAS21T-7-F作为一款高性能的表面贴装肖特基二极管，具备多项显著的技术优势。首先，其采用肖特基势垒技术，使得该器件拥有非常低的正向导通压降（VF），典型值仅为450mV左右，远低于传统PN结二极管的0.7V水平。这一特性意味着在相同电流下功耗更低，有助于提升整体系统的能效表现，尤其适用于电池供电的移动设备和低功耗嵌入式系统。其次，该二极管具有极短的反向恢复时间（trr ≤ 4ns），这使其在高频开关操作中表现出色，能够有效减少开关损耗并抑制电压尖峰，从而提高电路稳定性与响应速度。这对于射频信号检波、高速逻辑门驱动和脉冲整流等应用场景尤为重要。
此外，BAS21T-7-F的反向漏电流控制良好，在常温下典型值低于1μA，即使在高温环境下也能维持相对较低的漏电水平，确保了在高温工况下的长期可靠性。其最大重复峰值反向电压（VRRM）可达70V，使其可在中等电压环境中安全运行，适用于多种直流电源接口的反接保护或瞬态抑制电路。该器件还具备优良的静电放电（ESD）耐受能力，增强了在实际装配和使用过程中的鲁棒性。SOD-323微型封装不仅节省PCB空间，而且具有良好的散热性能，便于实现高密度布局。所有这些特性共同赋予BAS21T-7-F出色的综合性能，使其成为现代电子设计中理想的高速开关元件选择。
BAS21T-7-F因其高速开关能力和小尺寸封装，被广泛应用于多个电子领域。在消费类电子产品中，它常用于智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源路径管理与电池充放电保护电路，起到防止反向电流流动的作用。在通信系统中，该二极管可用于射频前端模块的信号检波、混频和限幅电路，利用其快速响应特性精确处理高频模拟信号。此外，在数字逻辑电路中，BAS21T-7-F可用于电平移位和钳位保护，防止因电压波动导致的芯片损坏。工业控制设备中也常见其身影，例如PLC输入输出接口的瞬态电压抑制和继电器驱动电路中的续流保护。汽车电子方面，尽管该器件非AEC-Q101认证，但仍可用于部分车载信息娱乐系统或传感器信号调理电路中。另外，由于其低电容特性（约1.5pF），BAS21T-7-F也适用于高速数据线路的噪声滤波和信号完整性优化。总而言之，凡是需要高效、快速、小型化二极管解决方案的场合，BAS21T-7-F都是一个可靠且经济的选择。
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"BAS21WT-7-F",
"BAS40-04",
"RB520S-40",
"SMS7621",
"PMG280X"
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