KF9300L18SC是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动以及各类开关电路中。该器件采用先进的半导体工艺制造,具备低导通电阻和快速开关特性,适合在高效率和高频应用中使用。其封装形式为TO-263(D2PAK),能够有效提升散热性能并适应严苛的工作环境。
该型号属于N沟道增强型场效应晶体管,通过栅极电压控制漏极与源极之间的电流流动。其优异的动态性能和稳定性使其成为工业及消费电子领域的理想选择。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:40A
导通电阻:2.5mΩ
栅极电荷:65nC
输入电容:2240pF
总功耗:170W
工作结温范围:-55℃至175℃
封装形式:TO-263
1. 低导通电阻设计,可显著降低功率损耗,提高整体系统效率。
2. 快速开关速度,有助于减少开关损耗并在高频条件下保持高效运行。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的耐受力。
4. 具备出色的热稳定性和可靠性,适用于长时间连续工作的应用场景。
5. 封装结构优化,提供更好的散热性能以支持高功率操作。
6. 符合RoHS标准,绿色环保且满足国际法规要求。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. 电机驱动器中的H桥或半桥配置。
3. DC-DC转换器和降压/升压电路。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源设备。
5. 各类负载切换和保护电路。
6. 汽车电子系统中的大电流控制模块。
IRFZ44N
STP40NF06L
FDP5500
AO3400