容量：256MB
　　数据总线宽度：32位
　　工作电压：2.3V - 3.6V
　　时钟频率：166MHz
　　封装类型：TSOP
　　引脚数量：54pin
　　内存类型：DRAM
　　内存子类型：EDO DRAM
　　工作温度范围：0°C 至 70°C
　　存储温度范围：-55°C 至 125°C

H5MS1G32BFR-K3M 是一款高性能的DRAM芯片，具有较大的存储容量和快速的数据访问速度。其32位数据总线宽度允许在每个时钟周期内传输更多的数据，从而提高了整体系统性能。该芯片采用TSOP（薄型小外形封装）封装技术，具有良好的散热性能和较小的体积，适用于紧凑型电子设备的设计。
　　此外，H5MS1G32BFR-K3M 工作电压范围较宽，可在2.3V至3.6V之间正常工作，这使得它在不同的电源管理方案中具有较好的适应性。其工作温度范围为0°C至70°C，符合工业级温度标准，可以在多种环境条件下稳定运行。
　　该DRAM芯片支持EDO（扩展数据输出）模式，允许在读取下一个数据之前提前开始输出当前数据，从而减少等待时间，提高内存访问效率。这对于需要快速连续访问内存的应用来说尤为重要。

H5MS1G32BFR-K3M 广泛应用于需要高性能内存支持的电子设备中。常见的应用场景包括个人计算机、服务器、网络设备、通信设备、图形处理单元（GPU）以及嵌入式系统等。在嵌入式系统中，它可用于提供临时数据存储，支持处理器快速访问大量数据，从而提升系统响应速度和处理能力。
　　在图形处理应用中，H5MS1G32BFR-K3M 可用于存储图形数据和纹理信息，支持GPU快速渲染图像，提升图形处理性能。在网络设备和通信设备中，该芯片可用于缓存数据包，确保数据传输的高效性和稳定性。
　　此外，H5MS1G32BFR-K3M 还适用于工业自动化设备、医疗设备和汽车电子系统等对内存性能和稳定性有较高要求的领域。

H5MS1G32BFR-K3C, H5MS1G32BFR-K3S