时间:2025/12/27 8:39:07
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UF540G-TN3-R是一款由Unisem(友联半导体)生产的表面贴装肖特基势垒二极管,采用SOD-123FL小型封装。该器件专为高频开关应用设计,具有低正向电压降和快速反向恢复时间的特点,适合在高效率电源转换系统中使用。作为一款单芯片结构的整流二极管,UF540G-TN3-R广泛应用于消费类电子、便携式设备以及各类DC-DC转换器中。其小型化封装有助于节省PCB空间,适用于对尺寸敏感的现代电子产品设计。此外,该器件符合RoHS环保标准,并具备良好的热稳定性和可靠性,能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。产品以卷带包装形式供应,适用于自动化贴片生产线,提升了大规模制造过程中的装配效率。
类型:肖特基二极管
极性:单路
最大重复反向电压(VRRM):40V
最大平均正向整流电流(IO):1A
峰值正向浪涌电流(IFSM):30A
最大正向电压降(VF):0.5V @ 1A
最大反向漏电流(IR):0.1mA @ 40V
反向恢复时间(trr):<5ns
工作结温范围:-55°C 至 +150°C
封装/外壳:SOD-123FL
安装类型:表面贴装(SMD)
高度:1.1mm
引脚数:2
湿度敏感等级(MSL):1级(无限时间)
可焊性:符合J-STD-020标准
UF540G-TN3-R的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术,这种结构利用金属与半导体之间的势垒实现单向导电功能,相比传统的PN结二极管,显著降低了正向导通压降。在典型工作条件下,其正向电压仅为0.5V左右,这意味着在通过1A电流时,功率损耗仅为0.5W,从而大幅提升了系统的能效表现。这一特性对于电池供电设备尤为重要,因为它可以减少发热并延长续航时间。同时,由于没有少数载流子存储效应,肖特基二极管具备极快的开关速度,反向恢复时间小于5纳秒,在高频开关电源如同步整流、开关模式电源(SMPS)和DC-DC变换器中表现出色,有效减少了开关瞬态过程中的能量损耗和电磁干扰(EMI)。
该器件采用SOD-123FL超小型表面贴装封装,外形紧凑,尺寸约为2.7mm x 1.6mm x 1.1mm,非常适合高密度PCB布局需求。相较于标准SOD-123封装,SOD-123FL具有更短的引线和更低的寄生电感,进一步优化了高频性能。其低热阻设计也有助于热量从芯片传导至PCB,提升整体散热能力。UF540G-TN3-R具备优良的机械强度和焊接可靠性,经过严格的质量控制流程,确保在自动化回流焊工艺中保持一致性。此外,该器件支持无铅焊接工艺,兼容主流SMT生产线要求。
从环境适应性来看,UF540G-TN3-R可在-55°C至+150°C的宽结温范围内正常工作,适用于多种恶劣工作条件下的电子系统。其反向漏电流在高温下仍保持较低水平,增强了在高温环境中的稳定性。虽然肖特基二极管通常存在比PN结更高的反向漏电流问题,但该型号通过优化材料选择和制造工艺,将漏电流控制在合理范围内(典型值为0.1mA@40V),兼顾了性能与可靠性。总体而言,UF540G-TN3-R是一款高性能、高可靠性的功率整流器件,适用于追求小型化、高效率和高稳定性的现代电子应用场合。
UF540G-TN3-R广泛用于各类需要高效、快速整流的电子电路中。常见应用场景包括便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理模块,用于防止电池反接或实现路径控制。在AC-DC适配器和USB充电器等小型开关电源中,它常被用作次级侧整流元件,特别是在非隔离式降压(Buck)或升压(Boost)转换器中,发挥其低VF和快速响应的优势。此外,该器件也适用于DC-DC转换器中的续流二极管或防倒灌二极管,例如在POL(Point-of-Load)电源架构中保护主控芯片免受反向电压影响。在LED驱动电路中,可用于防止电流回流,提高系统安全性。其他应用还包括笔记本电脑主板、路由器、机顶盒、智能家居控制板等嵌入式系统的电源部分。由于其小型封装和高可靠性,也非常适合汽车电子中的低功率辅助电源系统,如车载信息娱乐设备或传感器供电单元。此外,在工业控制设备、仪器仪表和通信模块中,UF540G-TN3-R可用于信号整流、电压钳位和ESD保护等功能电路,展现出良好的通用性和适应性。
MBR140T1G
SS14
SB140LT1G
1N5819WS
RB156B-40
PMBS3904