类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：600V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大连续漏极电流(Id)：13A（在25℃时）
　　导通电阻(Rds(on))：≤0.45Ω
　　最大耗散功率(Pd)：83W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220 / TO-3P

KF13N60N的主要特性包括高耐压能力、低导通电阻、快速开关速度以及良好的热稳定性。其600V的漏源电压使其适用于高电压输入环境，如AC-DC转换器和马达驱动电路。导通电阻低于0.45Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET具备较快的开关特性，能够满足高频开关应用的需求，减少开关损耗。KF13N60N还具备良好的热阻性能，能够在较高温度下稳定运行，提升了整体系统的可靠性和寿命。
　　该器件采用先进的平面工艺和沟槽技术，优化了电流密度和导通压降，从而实现了更高的能效和更低的发热。同时，其封装设计有利于快速散热，确保在高功率应用中的稳定性。KF13N60N还具有良好的抗雪崩能力，能够承受瞬时过电压冲击，增强了电路的安全性和耐久性。

KF13N60N广泛应用于多种功率电子系统中，包括开关电源(SMPS)、LED照明驱动器、逆变器、马达控制、电池充电器以及工业自动化设备。由于其高电压耐受能力和低导通电阻，特别适合用于需要高效能和高可靠性的场合。例如，在开关电源中，KF13N60N可用于主开关管或同步整流管，以提高转换效率；在马达控制电路中，它可以作为功率开关，实现对马达转速和方向的精确控制；在太阳能逆变器或UPS系统中，该MOSFET也可作为核心功率器件，用于实现高效的能量转换。

IRF740、FQA13N60C、2SK2142