频率范围：1805MHz - 1880MHz
　　输出功率：24W（典型值）
　　增益：约12dB
　　效率：约25%
　　工作电压：+28V
　　封装类型：表面贴装（SMT）
　　封装尺寸：符合标准FSZ封装规格
　　热阻：约2.5°C/W
　　工作温度范围：-40°C至+150°C

CLE9124-1502FSZ 的主要特性之一是其高效率和高线性度，使其在多载波和宽带通信系统中表现出色。该器件采用碳化硅基板，具有优异的热导率，能够在高温环境下稳定运行，提高了系统的可靠性和寿命。
　　此外，CLE9124-1502FSZ 采用了先进的LDMOS工艺技术，提供了良好的互调失真（IMD）性能，有助于减少信号失真，提高通信质量。它还具备良好的输入匹配性能，减少了对外部匹配电路的依赖，从而简化了设计和布局。
　　该放大器的封装设计优化了散热性能，支持表面贴装工艺，适用于高密度PCB布局，提高了生产效率。此外，它的宽工作温度范围确保在各种环境条件下都能稳定工作，适用于基站、无线接入点、中继器等设备。
　　由于其出色的性能和稳定性，CLE9124-1502FSZ 成为了4G LTE和WiMAX等现代通信系统中的理想选择。它不仅能够满足高功率输出的需求，还能有效降低功耗和散热成本，从而提升系统的整体能效。

CLE9124-1502FSZ 主要应用于4G LTE基站、WiMAX基础设施、无线本地环路（WLL）、中继器、远程射频单元（RRU）和分布式天线系统（DAS）等场景。由于其高线性和高效率特性，该器件也非常适合用于多载波通信系统和宽带信号放大。
　　在4G LTE系统中，CLE9124-1502FSZ 可用于发射链路中的主功率放大器，支持高数据速率和稳定的无线连接。在WiMAX应用中，它可以为固定和移动宽带接入提供可靠的射频放大支持。
　　此外，该器件还可用于测试设备、无线通信模块和工业级通信系统中，作为高性能射频功率放大解决方案。其表面贴装封装设计也使其适用于自动化生产和高密度PCB布局，广泛用于现代通信基础设施的建设与升级。

CLF1J2002S-13P, CMP2418B-20S, HMC8100N16