时间：2025/6/13 18:29:42
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BGSA143ML10E6327是一种高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换等场景。该芯片采用先进的半导体工艺制造，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提高电路效率并降低功耗。
其封装形式紧凑，适用于空间受限的应用场合，同时具有良好的散热性能，确保在高负载条件下稳定运行。
型号：BGSA143ML10E6327
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：32A
导通电阻(Rds(on))：2.7mΩ
总栅极电荷(Qg)：85nC
开关速度：高速
工作温度范围：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-263
BGSA143ML10E6327采用了增强型沟槽技术，从而实现了极低的导通电阻和栅极电荷，这使得它在高频开关应用中表现优异。
此外，该器件具备出色的热稳定性，在高温环境下仍能保持较高的电气性能。
它的漏源击穿电压高达60V，能够在各种复杂工况下提供可靠的保护功能。
由于其封装体积较小且引脚布局合理，因此非常适合用于高密度PCB设计。
该芯片主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)，包括AC-DC适配器和充电器。
2. 各类电机驱动控制电路，如步进电机、无刷直流电机等。
3. 负载切换和保护电路，例如服务器电源管理。
4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
5. 新能源汽车电子系统中的逆变器和控制器组件。
BGSA143ML10E6227, IRFZ44N, FDP5570N
