KPS8N60D是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要设计用于高电压、高频率开关应用。该器件由Kexin Industrial制造,适用于电源转换、电机控制、UPS(不间断电源)系统以及各种工业自动化设备中。KPS8N60D采用了先进的平面工艺技术,具备优良的热稳定性和高可靠性。其封装形式为TO-220,便于散热,适合在各种功率电子系统中使用。
类型:N沟道MOSFET
漏极-源极击穿电压(Vds):600V
栅极-源极电压(Vgs):±30V
连续漏极电流(Id):8A(在25°C)
导通电阻(Rds(on)):典型值为0.55Ω
最大耗散功率(Ptot):40W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:TO-220
KPS8N60D具备多项优异的电气和物理特性,确保其在复杂工况下的稳定运行。首先,其高击穿电压(600V)使得该MOSFET能够应用于高压直流电源系统和工业电机驱动器中,有效减少电路设计中的电压限制问题。
其次,KPS8N60D的导通电阻较低,典型值为0.55Ω,这有助于降低导通损耗,提高系统效率,尤其是在高频开关应用中表现尤为突出。同时,该器件的栅极电荷(Qg)较低,能够加快开关速度,减少开关损耗,提升整体系统的响应性能。
此外,KPS8N60D采用TO-220封装,具有良好的散热性能,适用于高功率密度设计。该封装形式还具备较高的机械强度和耐热性,能够适应严苛的环境条件,如高温、潮湿或振动环境,确保设备长期稳定运行。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽(±30V),允许使用标准的12V或15V驱动电路进行控制,兼容性强,易于集成到现有的功率电子系统中。同时,其热阻较低,有助于提升器件在高温下的工作稳定性,防止因过热导致的性能下降或损坏。
综上所述,KPS8N60D凭借其高压、低导通电阻、快速开关特性以及良好的封装散热性能,在多种功率电子应用中表现出色,是一款性价比高且值得信赖的功率MOSFET。
KPS8N60D广泛应用于各类高电压、高频率的功率电子系统中。首先,在电源转换领域,如AC/DC、DC/DC转换器和开关电源(SMPS)中,KPS8N60D可作为主开关器件,提供高效、稳定的电压转换性能。
其次,在电机控制应用中,例如变频器、无刷直流电机(BLDC)控制器以及伺服驱动系统中,该器件可用于实现快速的功率开关操作,提升电机控制的精度和响应速度。
此外,KPS8N60D也适用于UPS(不间断电源)系统、光伏逆变器、电焊机和工业自动化设备等需要高耐压和高可靠性的应用场景。其TO-220封装形式使其易于安装和散热管理,适合在紧凑型设计中使用。
由于其良好的开关特性和较低的导通损耗,KPS8N60D还可用于高频逆变器、LED驱动电源以及智能家电中的功率调节模块,满足现代电子设备对能效和可靠性的高要求。
KPS8N60C, KPF8N60, FQP8N60C