时间：2025/8/28 17:22:04
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K9F2808U0B-DIB0 是三星（Samsung）生产的一款NAND闪存芯片，广泛用于嵌入式系统、存储设备和其他需要非易失性存储的应用中。该芯片具有256MB的存储容量，采用8位数据总线接口，支持高速数据读写操作。其封装形式为TSOP，适用于工业级温度范围，具备较高的可靠性和耐用性。
容量：256MB
电压范围：2.7V - 3.6V
接口类型：8位 NAND 接口
时钟频率：最高支持50MHz
封装类型：TSOP
温度范围：-40°C ~ +85°C
读取时间：最大70ns
写入时间：最大70ns
K9F2808U0B-DIB0 芯片具备多个高性能特性，包括高速读写能力、低功耗设计以及良好的数据保持性能。其采用NAND闪存技术，具有较高的存储密度和较长的使用寿命，适合用于数据存储频繁读写的应用场景。芯片内置错误检测和纠正机制，提高了数据传输的可靠性。此外，它支持多种命令集操作，包括页读取、页写入、块擦除等，提供了灵活的存储管理方式。该芯片还具备较强的抗干扰能力和较长的擦写寿命，适合在工业环境中使用。
该芯片的一个显著特点是其兼容性强，能够与多种主控芯片配合使用，降低了系统设计的复杂度。同时，K9F2808U0B-DIB0 支持自动坏块管理，有助于延长存储设备的使用寿命并提高系统的稳定性。其低功耗特性也使其适用于对能耗要求较高的应用，如便携式设备和嵌入式系统。
K9F2808U0B-DIB0 广泛应用于嵌入式系统、工业控制设备、数据采集系统、智能卡终端、便携式电子产品以及各种需要非易失性存储的设备中。其高速读写和大容量特性使其成为固态存储解决方案的理想选择，尤其适用于需要频繁数据更新和存储的场合。此外，该芯片也可用于路由器、交换机、安防监控设备等通信和网络设备中，作为系统固件或日志数据的存储介质。
K9F2808U0C-DIB0, K9F5608U0E-PCB0, K9F1G08U0A-PIB0
