类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：460V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：15A
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.3Ω（典型值）
　　最大功耗（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220或TO-252

JX2N46 MOSFET具有多项优良特性，适用于各种功率应用。其主要特点包括高耐压能力，最大漏源电压可达460V，使其适合用于高电压环境中，如开关电源、电机控制和照明驱动等应用。该器件的导通电阻较低，典型值为0.3Ω，这有助于降低导通损耗，提高整体效率。此外，JX2N46的栅极驱动电压范围较宽，支持±20V的栅源电压，使其能够兼容多种驱动电路设计。
　　在热性能方面，JX2N46采用了适合高功率密度设计的封装形式，如TO-220或TO-252，具备良好的散热能力，能够在较高工作温度下稳定运行。同时，该器件的电流处理能力较强，最大连续漏极电流可达15A，适用于需要较高电流输出的应用场景。
　　JX2N46还具备较强的抗冲击能力，能够承受一定的瞬态过载和雪崩击穿，提高了系统的可靠性和稳定性。这些特性使得JX2N46在工业控制、家电、通信电源、LED照明驱动等领域得到了广泛应用。

JX2N46 MOSFET广泛应用于各种功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC Converter）、电机驱动器、LED照明驱动电路、逆变器、不间断电源（UPS）以及各类工业自动化控制系统。由于其高耐压、低导通电阻和良好的热性能，JX2N46适用于需要高效、高可靠性的功率开关场合。例如，在开关电源中，JX2N46可用于主开关管或同步整流管，实现高效的能量转换；在电机控制电路中，可作为功率开关元件，实现对电机的精确控制；在LED驱动电源中，可用于构建高效的恒流驱动电路。

2N6764, IRF840, 2SK2640