时间：2025/12/25 12:21:57
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UDZVFHTE-1716B是一款由ROHM Semiconductor生产的齐纳二极管（Zener Diode），主要用于电压调节和电路保护应用。该器件属于表面贴装型（SOD-123F封装），具有小型化、高可靠性及良好的热稳定性等特点，适用于现代电子设备中对空间要求严格的场合。其标称齐纳电压为16V，额定功率耗散能力为200mW，能够在较小的封装内提供稳定的参考电压或过压保护功能。该系列二极管采用先进的制造工艺，确保了电压精度和温度稳定性，在工业控制、消费类电子产品、电源管理单元以及信号调理电路中广泛应用。
UDZVFHTE-1716B中的“UDZV”代表ROHM的低功耗齐纳二极管产品线，“FHT”表示其为适用于高频或快速响应的应用场景，“E-17”可能指代特定的电压等级与包装规格，“16B”则明确指示其标称电压值为16V。该器件符合RoHS环保标准，并具备无卤素（Halogen-free）特性，满足现代绿色电子产品设计的需求。由于其紧凑的外形和优异的电气性能，它常被用于替代传统的通孔式齐纳二极管，尤其适合自动化贴片生产流程。
型号：UDZVFHTE-1716B
类型：齐纳二极管
封装/外壳：SOD-123F
齐纳电压Vz：16V @ Iz = 50μA
最大功率耗散Pd：200mW
测试电流Iz：50μA
最大齐纳阻抗Zzt：900Ω
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
极性：单齐纳二极管
安装类型：表面贴装（SMD）
湿度敏感等级（MSL）：1级（≤30°C / 85% RH）
RoHS合规性：是
无卤素：是
UDZVFHTE-1716B齐纳二极管具备出色的电压稳定性和温度特性，能够在宽温度范围内维持精确的齐纳电压输出。其在50μA的小电流下即可实现16V的稳定击穿电压，特别适用于低功耗或待机模式下的电压参考需求。该器件的最大齐纳阻抗为900Ω，保证了在负载变化时仍能提供相对稳定的电压输出，减少因电流波动引起的电压漂移现象。得益于SOD-123F超小型封装技术，该二极管占用PCB面积极小，仅为约2.0mm × 1.3mm，非常适合高密度布局的便携式设备如智能手机、可穿戴设备和物联网终端。
该齐纳二极管采用硅半导体材料制成，具有优良的反向击穿特性和长期工作稳定性。其额定功率为200mW，可在短时间内承受一定的过载电流而不发生永久性损坏，提升了系统可靠性。此外，器件的工作结温可达+150°C，表明其具有较强的耐热能力，适用于高温环境下的工业控制系统或汽车电子模块。内部结构经过优化设计，有效降低了寄生电容和引线电感，使其不仅可用于直流稳压，还能在高频噪声抑制和瞬态电压抑制（TVS-like behavior）中发挥作用。
UDZVFHTE-1716B还具备优异的一致性和批次稳定性，便于大规模生产中的质量控制。其电压容差通常控制在±5%以内，确保不同批次间的产品性能高度一致。同时，该器件通过了AEC-Q101等车规级可靠性测试（视具体版本而定），可用于部分车载电子系统中。由于其无铅、无卤素的设计，完全符合欧盟RoHS和REACH环保指令要求，支持绿色制造和可持续发展。
该齐纳二极管广泛应用于各类需要精密电压参考或过压保护的电子电路中。常见用途包括作为微控制器或传感器的基准电压源，特别是在ADC采样电路中提供稳定的参考点；也可用于电源轨的钳位保护，防止电压突升导致后级电路损坏。在电池供电设备中，UDZVFHTE-1716B可用于低电压检测电路或充电管理模块中的电压监测节点。
在通信接口保护方面，它可以与限流电阻配合使用，保护UART、I2C、SPI等低速信号线免受静电放电（ESD）或意外高压影响。此外，在开关电源反馈回路中，该器件可作为误差放大器的参考元件，帮助维持输出电压的稳定性。其小型封装也使其成为便携式医疗设备、智能家居控制板、无线模块和智能卡读写器中的理想选择。
在工业自动化领域，该二极管可用于PLC输入模块的信号调理电路，实现模拟信号的限幅处理。同时，因其良好的温度稳定性，也适用于环境监测仪器和远程数据采集终端中的精密测量单元。在汽车电子中，可用于车身控制模块（BCM）、车载信息娱乐系统的辅助电源稳压等非主功能电路中。
UDZS16B-ME\nMMBZ16VAL-E3\nSZMM3Z16B-GS08\nPME3616B,115
