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SKT351F10DU 发布时间 时间:2025/8/23 5:58:05 查看 阅读:20

SKT351F10DU 是一款由东芝(Toshiba)生产的MOSFET功率晶体管模块,专为高效能和高可靠性应用设计。该器件采用先进的功率MOSFET技术,具备低导通电阻和高开关速度,适用于电源管理和电机驱动等应用场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流:35A
  最大漏极-源极电压:100V
  导通电阻(Rds(on)):2.8mΩ
  栅极电荷:120nC
  工作温度范围:-55°C 至 175°C

特性

SKT351F10DU 具有低导通电阻,能够显著降低导通损耗,提高系统效率。其高开关速度特性使其在高频应用中表现出色,减少了开关损耗并提高了整体性能。
  此外,该器件具备良好的热稳定性和耐用性,能够在恶劣的工作环境下保持可靠运行。其先进的封装技术有助于提高散热效率,延长使用寿命。
  SKT351F10DU 还集成了保护功能,如过热保护和过流保护,进一步增强了系统的安全性和稳定性。

应用

SKT351F10DU 常用于开关电源(SMPS)、电机驱动器、电动车控制系统、工业自动化设备以及高功率LED照明系统等应用场景。其高效的功率处理能力和可靠的性能使其成为各种高要求应用的理想选择。

替代型号

TK35A100D, IRF3710

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