9FG107GLFT是一款高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用N沟道技术,具有较低的导通电阻和快速的开关速度,能够显著提高系统的效率并降低能耗。
9FG107GLFT采用了TO-220封装形式,具备良好的散热性能,适合于高功率密度的应用场景。其出色的电气特性和可靠性使其成为许多工业和消费类电子产品的理想选择。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:28A
导通电阻(典型值):1.5mΩ
栅极电荷:35nC
开关时间(典型值):20ns
工作温度范围:-55℃至150℃
封装形式:TO-220
9FG107GLFT的主要特性包括:
1. 高效的导电性能:其低导通电阻(Rds(on))能够显著减少功率损耗,提升整体系统效率。
2. 快速的开关速度:由于其较小的栅极电荷和短开关时间,该器件能够在高频应用中表现出色。
3. 良好的热稳定性:TO-220封装提供优异的散热能力,确保在高温环境下仍能稳定运行。
4. 宽广的工作温度范围:从-55℃到150℃的宽温区间使它适用于各种恶劣环境中的应用。
5. 高可靠性设计:通过严格的测试和筛选流程,确保产品在长时间使用中的可靠性和耐用性。
9FG107GLFT适合以下应用领域:
1. 开关电源(SMPS):如AC-DC转换器、DC-DC转换器等,利用其高效导电和快速开关特性。
2. 电机驱动:用于无刷直流电机(BLDC)和其他类型的电机控制电路中,提供精确的电流控制。
3. 工业自动化:如可编程逻辑控制器(PLC)、伺服驱动器等设备中的功率控制模块。
4. 汽车电子:包括启动马达控制、车载充电器以及电池管理系统(BMS)等。
5. 消费类电子产品:例如笔记本电脑适配器、家用电器功率控制单元等。
IRFZ44N, FDP5500, STP28NF06L