时间：2025/12/25 11:01:33
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KDZTR3.6B是一款由罗姆（ROHM）公司生产的精密箝位稳压二极管阵列器件，属于KDZTR系列的一部分。该系列专为高速信号线路的静电放电（ESD）保护和瞬态电压抑制而设计，广泛应用于便携式电子设备、通信接口以及对信号完整性要求较高的场合。KDZTR3.6B采用双通道结构，每个通道均集成了一个低电容的TVS（瞬态电压抑制）二极管和一个用于稳定参考电压的齐纳二极管，能够在不影响正常信号传输的前提下，有效抑制来自外部环境或系统内部的瞬态过电压脉冲。该器件封装在小型化SOD-523（SC-79）封装中，具有极小的占板面积，非常适合空间受限的应用场景。
其核心功能是通过低动态电阻和快速响应时间来吸收ESD能量，并将电压箝位在一个安全水平，从而保护后端敏感的集成电路（如MCU、传感器、USB接口芯片等）。KDZTR3.6B的标称工作电压为3.6V，适用于3.3V逻辑系统的电源轨和I/O引脚保护。由于其出色的电容匹配性和对称性，该器件特别适合差分信号线保护，例如USB D+/D-、I2C总线等。此外，它符合IEC 61000-4-2 Level 4（±8kV接触放电）等国际ESD标准，确保在严苛电磁环境中仍能提供可靠防护。
型号：KDZTR3.6B
制造商：ROHM Semiconductor
封装类型：SOD-523 (SC-79)
通道数：2
反向截止电压(VRWM)：3.6V
击穿电压(VBR)：典型值4.0V @ 1mA
最大箝位电压(VC)：约9.0V @ IPP=1A
峰值脉冲电流(IPP)：最高可达1A（取决于测试波形）
电容值(Cd)：每通道典型值3.5pF @ 1MHz, 0V偏置
ESD耐受能力：±15kV（人体模型HBM），符合IEC61000-4-2 Level 4
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
极性配置：双向保护（双阳极或双阴极结构）
KDZTR3.6B的核心特性之一是其超低结电容设计，典型值仅为3.5pF，在高频信号路径中引入的寄生效应极小，能够有效避免信号衰减、失真或延迟，因此非常适合用于高速数据接口的保护，例如USB 2.0、HDMI、SD卡接口以及各种串行通信总线。这种低电容特性得益于器件内部优化的PN结结构与材料工艺，使得其在保持高灵敏度的同时不牺牲信号带宽性能。此外，该器件具备非常快的响应时间，通常在皮秒级别，远快于传统的TVS器件，能够在ESD事件发生的瞬间迅速导通并将瞬态能量泄放到地，防止其传播到后级电路。
KDZTR3.6B还具有优异的电压稳定性与一致性。其内置的齐纳二极管经过精密制造工艺控制，确保了击穿电压的高度均匀性，偏差较小，这有助于在整个系统中实现可预测且可靠的保护行为。同时，器件的双向极性设计使其可以应对正负方向的瞬态电压冲击，无需考虑信号极性，简化了PCB布局设计。另一个关键优势是其高功率承受能力与热稳定性，尽管体积微小，但通过高效的散热路径设计和半导体材料的选择，能够在短时间内吸收高达数十瓦的瞬态功率而不发生永久性损坏。
此外，KDZTR3.6B符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造流程。其SOD-523封装不仅节省空间，而且便于自动化贴片生产，提升了组装效率和产品良率。整体而言，这款器件结合了高性能、小尺寸和高可靠性，是现代消费类电子和工业控制系统中理想的ESD保护解决方案。
KDZTR3.6B主要应用于需要高精度、低电容ESD保护的各种电子系统中。最常见的应用场景包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中的接口保护，尤其是USB Type-A或Type-C端口的数据线（D+和D-）、音频插孔、SIM卡槽以及触摸屏连接器等易受静电影响的部位。由于这些设备经常被用户直接接触，容易积累并释放静电，因此必须配备高效的TVS器件进行防护。
在通信领域，该器件可用于以太网PHY接口、RS-232/RS-485收发器、CAN总线节点等工业通信模块中，防止因雷击感应或电源切换引起的瞬态干扰损坏通信芯片。在消费类电子产品中，如智能手表、无线耳机、运动相机等穿戴设备，因其外壳紧凑且多为金属材质，更容易产生静电积累，KDZTR3.6B的小型封装和高效保护能力使其成为首选保护元件。
此外，该器件也适用于各类传感器模块，特别是连接到微控制器的模拟或数字输入引脚，防止现场环境中可能存在的静电放电导致MCU复位或永久损坏。在汽车电子中，虽然该器件非AEC-Q101认证，但在非关键性的车载信息娱乐系统（IVI）接口或后排乘客使用的USB充电口中也有应用实例。总之，任何存在高速信号传输并面临ESD风险的场合，都是KDZTR3.6B发挥其价值的理想环境。
PESD3V3X1BL-7-F
