时间：2025/8/6 4:42:09
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IXGT12N120A2D1 是一款由 Littelfuse（原 IXYS）制造的高压功率 MOSFET 晶体管，采用 TO-247 封装形式。该器件设计用于高电压和高功率应用，具备良好的热性能和高可靠性。IXGT12N120A2D1 主要用于电源转换系统、电机控制、逆变器和各种工业设备中，能够承受高达 1200V 的漏源电压（VDS），并具有较低的导通电阻，以提高效率并减少功率损耗。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：1200V
漏极电流(Id)：12A
导通电阻(RDS(on))：0.52Ω
栅极电压(VGS)：±20V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-247
功率耗散(PD)：150W
输入电容(Ciss)：2000pF
开启阈值电压(VGS(th))：3V ~ 5.5V
IXGT12N120A2D1 具备优异的高压性能和低导通电阻，这使其在高压应用中表现尤为出色。其 1200V 的漏源击穿电压可支持大多数工业级电源系统的需求，12A 的连续漏极电流能力确保了其在高负载条件下仍能稳定工作。该器件的导通电阻仅为 0.52Ω，有效降低了导通损耗，提高了系统效率。
此外，该 MOSFET 提供了良好的热稳定性，其 TO-247 封装有助于有效散热，适用于高温环境下的运行。其栅极驱动电压范围为 ±20V，允许与多种驱动电路兼容，而开启阈值电压在 3V 到 5.5V 之间，适合标准的逻辑电平驱动。
IXGT12N120A2D1 还具备较强的抗短路和过载能力，在高应力条件下仍能维持稳定运行。这种坚固的设计使其成为各种电源管理应用的理想选择，尤其是在需要高可靠性和长寿命的场合。
IXGT12N120A2D1 广泛应用于各种高电压和高功率电子系统中。例如，在开关电源（SMPS）中，它可用作主开关元件，以实现高效的能量转换；在电机驱动器和逆变器系统中，该器件可用于控制高电压直流电机或交流电机的运行；此外，它还常用于工业自动化设备、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、焊接设备和高功率 LED 驱动器中。
由于其高压能力和良好的热性能，该 MOSFET 在恶劣环境和高要求的工业应用中表现出色。在需要高效率、小体积和可靠性的现代电子系统中，IXGT12N120A2D1 是一个理想的选择。
IXGT15N120A2D1, IXGH12N120A2D1
