时间：2025/9/14 13:21:38
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BUK7Y07-30B,115是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的高性能N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于汽车电子、工业控制、电源管理和负载开关等场景。该器件采用先进的TrenchMOS技术，具有低导通电阻、高可靠性和良好的热稳定性，适用于高电流和高频率的工作环境。作为一款逻辑电平MOSFET，BUK7Y07-30B,115可在较低的栅极电压下实现高效的导通，适合用于现代数字控制系统中。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：100A
导通电阻(Rds(on))：最大7mΩ（在Vgs=10V时）
功率耗散(Pd)：150W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-220AB
安装类型：通孔安装
技术：TrenchMOS
BUK7Y07-30B,115 MOSFET采用了先进的TrenchMOS工艺，具有极低的导通电阻（Rds(on)）和出色的开关性能。其最大导通电阻仅为7mΩ，这意味着在高电流应用中可以显著降低功耗，提高能效。此外，该器件支持高达100A的连续漏极电流，适用于需要高电流承载能力的场合。
由于其逻辑电平驱动特性，BUK7Y07-30B,115可以在较低的栅极电压（通常为4.5V至10V）下完全导通，使其能够直接与微控制器或其他数字逻辑电路配合使用，无需额外的驱动电路。这种特性不仅简化了电路设计，还降低了整体系统成本。
该MOSFET还具有良好的热稳定性，最大工作温度可达+175°C，能够在高温环境下稳定运行，适用于汽车和工业等严苛环境。其高功率耗散能力（150W）也使其在高负载条件下具有良好的可靠性。
封装方面，BUK7Y07-30B,115采用常见的TO-220AB封装，便于安装和散热管理。其通孔安装方式也便于在各种电路板上使用，适用于多种应用场景。
BUK7Y07-30B,115 MOSFET广泛应用于多个领域，尤其是在汽车电子系统中，如车身控制模块、电动助力转向系统（EPS）、空调压缩机控制、车窗升降器和座椅调节系统等。在这些应用中，该器件能够提供高可靠性和稳定的性能，满足汽车工业对安全性和耐用性的高要求。
在工业自动化和控制系统中，BUK7Y07-30B,115可用于电机驱动、继电器替代、负载开关和电源管理系统。其高电流能力和低导通电阻使其成为高效能工业设备的理想选择。
此外，该器件也适用于消费类电子产品中的高功率负载控制，如电源适配器、智能家电和电池管理系统。由于其逻辑电平驱动特性，能够轻松与各种微控制器接口，实现智能化控制。
BUK7K12-40B,115, BUKN315-100L,115, FDBL0150N40TM
