时间：2025/8/16 8:41:14
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AG402-86G 是一款由 Anadigics（已被 II-VI Incorporated 收购）生产的 GaAs（砷化镓）高电子迁移率晶体管（HEMT）场效应晶体管（FET），专为高频率、高性能射频（RF）和微波应用设计。该器件采用先进的 GaAs HEMT 技术制造，具有低噪声、高增益和出色的线性度，适用于无线基础设施、通信设备、测试仪器以及国防和航空航天等高端射频系统。
型号：AG402-86G
类型：GaAs HEMT FET
频率范围：DC ~ 18 GHz
最大漏极电压（Vds）：10 V
最大漏极电流（Ids）：100 mA
输出功率：20 dBm（典型值）
增益：18 dB（典型值）
噪声系数：1.5 dB（典型值）
输入驻波比（VSWR）：< 2.0:1
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
封装类型：表面贴装（SOT-89）
AG402-86G 是一款为高频应用优化的 GaAs HEMT 晶体管，具有多项显著的技术特性。首先，其频率范围覆盖从直流到 18 GHz，适用于广泛的微波和毫米波应用，包括 5G 通信、雷达系统、卫星通信和高速无线网络。该器件采用了先进的 GaAs HEMT 工艺，能够在高频下保持出色的增益和低噪声性能，典型噪声系数仅为 1.5 dB，增益可达 18 dB，从而确保信号的高质量传输和接收。
该晶体管的最大漏极电压为 10 V，最大漏极电流为 100 mA，使其在低功耗条件下仍能提供高达 20 dBm 的输出功率。这种高线性度和稳定输出能力，使其非常适合用于低噪声放大器（LNA）和中功率射频放大模块。此外，AG402-86G 的输入驻波比（VSWR）低于 2.0:1，说明其具有良好的输入匹配特性，能够有效减少信号反射，提高系统的整体效率。
该器件采用 SOT-89 表面贴装封装，具有紧凑的尺寸和良好的热稳定性，便于在高密度 PCB 设计中使用。其工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，适用于工业级和军用级环境。AG402-86G 在设计上兼顾了高性能与可靠性，是高端射频和微波系统中不可或缺的组件。
AG402-86G 适用于多种高性能射频和微波系统，广泛用于无线基础设施，如 5G 基站、微波回传系统和卫星通信设备。在测试与测量设备中，如频谱分析仪和信号发生器，它能够提供稳定的放大性能，确保测试结果的准确性。在国防和航空航天领域，AG402-86G 可用于雷达系统、电子战设备和卫星转发器等关键应用，其高可靠性和宽频率范围使其成为这些高性能要求场景的理想选择。此外，该器件也适用于高速点对点通信系统、毫米波雷达和高精度导航设备等前沿技术领域。
HMC414MS8E, ATF-54143, BGA2804
