时间：2025/5/7 15:32:55
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DMT2004UFV是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高频开关应用设计。该器件采用小型化的封装形式，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，广泛应用于功率转换、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等场景。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：4.3A
导通电阻：120mΩ
栅极电荷：7nC
总电容：280pF
工作温度范围：-55℃至+150℃
DMT2004UFV具有以下特点：
1. 极低的导通电阻，能够显著降低功耗并提升效率。
2. 快速开关速度，适合高频应用场合。
3. 小型化DFN3*3封装，节省PCB空间。
4. 高可靠性设计，能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。
5. 符合RoHS标准，环保无铅工艺。
DMT2004UFV适用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC转换器的核心开关元件。
3. 电池保护电路及负载开关。
4. 消费类电子产品中的小型化功率管理方案。
5. 低功率电机驱动控制。
DMT2004UFSV, DMT2004UFH
