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W25Q16BVZPIG TR 发布时间 时间:2025/8/21 4:13:18 查看 阅读:8

W25Q16BVZPIG TR是一款由Winbond公司生产的串行闪存存储器(Serial Flash Memory)芯片,其容量为16Mbit(2MB),采用标准的SPI(Serial Peripheral Interface)通信协议进行数据读写操作。该芯片广泛应用于嵌入式系统、工业控制、消费电子、网络设备等领域,用于存储程序代码、固件或非易失性数据。W25Q16BVZPIG TR采用8引脚的SOIC封装,符合工业级温度范围(-40°C至+85°C),适用于各种恶劣环境。该芯片支持高速SPI模式(如双输出SPI和四输出SPI),具备高性能和高可靠性的特点。

参数

容量:16Mbit
  存储结构:256K x 8
  电压范围:2.7V - 3.6V
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  封装类型:8-SOIC
  通信接口:SPI
  读取速度:最高可达80MHz
  编程/擦除速度:1.4ms/页(典型值)
  擦除块大小:4KB、32KB、64KB
  数据保持时间:大于20年
  编程/擦除次数:100,000次

特性

W25Q16BVZPIG TR具备多种先进的功能特性,确保其在各类应用中的稳定性和高效性。首先,它支持标准SPI、双SPI和四SPI模式,允许用户根据系统需求选择不同的数据传输方式,从而提高数据吞吐量。该芯片内置页编程(Page Program)功能,每页最多可编程256字节,编程时间短,提高了写入效率。
  该芯片提供灵活的擦除选项,包括按4KB扇区擦除、32KB块擦除、64KB块擦除以及全片擦除,满足不同应用场景的存储管理需求。此外,W25Q16BVZPIG TR具备硬件和软件写保护功能,可对部分或全部存储区域进行锁定,防止误擦写或误编程,提高数据安全性。
  该芯片还支持低功耗模式,包括待机模式和掉电模式,有助于降低系统功耗,适用于对功耗敏感的应用场景。其内部采用高性能的浮栅技术,确保数据存储的稳定性,数据保持时间超过20年,并支持至少10万次的编程/擦除循环,具备良好的耐用性。
  W25Q16BVZPIG TR还具备状态寄存器(Status Register),允许用户监控芯片状态、配置写保护区域、设置块保护等,便于系统进行实时管理和控制。此外,芯片支持高速读取操作,最高频率可达80MHz,能够满足对读取速度有较高要求的应用场景。

应用

W25Q16BVZPIG TR适用于多种嵌入式系统和电子设备,包括但不限于工业控制系统、消费类电子产品、智能家电、网络设备、通信模块、安防监控设备、汽车电子、传感器节点等。它常用于存储启动代码(如Bootloader)、固件程序、配置数据、图像数据或音频文件等非易失性信息。由于其支持多种擦写模式和写保护功能,特别适合用于需要频繁更新数据或对数据安全性要求较高的应用场合。例如,在智能电表中可用于存储计量数据和配置参数;在WiFi模块或蓝牙模块中可用于存储固件和网络配置信息;在摄像头或显示设备中可用于存储固件或字库数据等。

替代型号

M25P16, MX25L1605A, S25FL116K, GD25Q16C

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W25Q16BVZPIG TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列SpiFlash?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量16Mb
  • 存储器组织2M x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O
  • 时钟频率104 MHz
  • 写周期时间 - 字,页50μs,3ms
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-WDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装8-WSON(6x5)