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IS43R16160D-5TL-TR 发布时间 时间:2025/9/1 8:34:11 查看 阅读:8

IS43R16160D-5TL-TR 是一款由Integrated Silicon Solution(ISSI)公司生产的高性能异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件采用先进的CMOS技术制造,提供高速访问时间和低功耗特性,适用于需要快速数据存取和高可靠性的应用场合。

参数

容量:256K x 16位
  电压范围:3.3V(±0.3V)
  访问时间:5.4 ns(最大)
  封装形式:TSOP(Thin Small Outline Package)
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  封装引脚数:54引脚
  封装尺寸:52-TSOP
  数据保持电压:2.0V 至 3.6V
  待机电流:最大10mA
  输出使能时间:最大5.4ns
  片选使能时间:最大5.4ns

特性

IS43R16160D-5TL-TR 是一款高性能异步SRAM,具备快速访问时间和低功耗特性。该芯片支持异步操作,适用于多种嵌入式系统和通信设备。其高速访问时间为5.4ns,允许系统在高频下运行而不会导致性能下降。此外,该器件采用低功耗CMOS技术,在待机模式下电流消耗仅为10mA,适合对功耗敏感的应用。
  该SRAM芯片的54引脚TSOP封装设计提供了良好的散热性能和空间利用率,适合在紧凑型电路设计中使用。其宽广的电压工作范围(2.0V至3.6V)确保在各种电源条件下稳定运行,同时支持数据保持模式,允许在电源中断情况下保持数据完整性。
  该芯片还具备高抗干扰能力,确保在恶劣工业环境中稳定工作。其输出驱动能力较强,可直接驱动多个TTL负载,简化了外围电路设计。此外,该SRAM具有双向数据总线和独立的读写控制信号,支持灵活的接口配置。

应用

IS43R16160D-5TL-TR SRAM芯片广泛应用于网络设备、工业控制系统、嵌入式处理器系统、图像处理设备、测试仪器和高速缓存应用。其高速存取能力和低功耗特性使其成为路由器、交换机、PLC控制器、医疗成像设备等高性能系统中的理想选择。

替代型号

IS43R16160B-5TL-TR, IS43R16160D-6T-TR, CY62167EVBLL-55BNC, IDT71V124SA8B, IS42S16400J-6T

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IS43R16160D-5TL-TR参数

  • 制造商ISSI
  • 数据总线宽度16 bit
  • 组织16 Mbit x 16
  • 封装 / 箱体TSOP-66
  • 存储容量256 Mbit
  • 最大时钟频率200 MHz
  • 访问时间5 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min1.65 V
  • 最大工作温度+ 70 C
  • 封装Reel
  • 最小工作温度0 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 工厂包装数量1500