KDF75N03P 时间：2025/12/28 14:46:06 阅读：17

KDF75N03P 是一款由Kexin（科信）公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电流、低电压应用场景设计。该器件采用了先进的沟槽式MOS技术，具备低导通电阻（Rds(on)）、高效率和优良的热稳定性。KDF75N03P广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动、电池充电器以及负载开关等场景。该MOSFET采用TO-252（DPAK）封装，适合表面贴装工艺，适用于各种高密度、高效率的电源系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：75A
　　功耗（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）
　　导通电阻（Rds(on)）：≤4.5mΩ（@Vgs=10V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：1V ~ 2.5V
　　漏极-源极击穿电压：30V

特性

KDF75N03P具有多项显著的技术优势和设计特点，首先其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件支持高达75A的连续漏极电流，适合高功率应用。此外，其TO-252封装不仅支持表面贴装，还具备良好的散热性能，有助于提升整体系统的稳定性和可靠性。
　　该MOSFET具备较高的栅极耐压能力（±20V），在高噪声环境中仍能保持良好的工作稳定性。其阈值电压范围为1V至2.5V，兼容多种驱动电路设计。在热性能方面，KDF75N03P的工作温度范围为-55℃至+150℃，适用于较为严苛的工作环境。
　　从制造工艺来看，KDF75N03P采用了先进的沟槽式结构设计，有助于在保持小尺寸的同时实现高性能。其低导通电阻与高电流承载能力相结合，使其在电源转换和负载管理应用中表现出色，尤其适合用于高效率的同步整流和DC-DC转换器电路。

应用

KDF75N03P由于其高电流能力和低导通电阻，广泛应用于各类电源管理系统中。它常用于DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、马达控制器、LED驱动电源、工业自动化设备以及各种高效率电源模块。此外，该器件也可用于负载开关、电源分配系统和便携式电子设备中的电源管理单元。
　　在汽车电子领域，KDF75N03P可用于车载充电器、车身控制模块、电动助力转向系统等应用。其良好的热稳定性和抗干扰能力也使其适用于高噪声和高温环境。同时，由于其封装体积小、效率高，非常适合用于紧凑型电源设计和对空间有严格要求的应用场景。