时间：2025/8/1 13:35:02
阅读：25
CRSM062N10N是一款由Cree（现为Wolfspeed）生产的高功率SiC（碳化硅）MOSFET功率晶体管，专为高效率、高频率和高温工作环境设计。该器件基于碳化硅材料，具有优异的热导率和高击穿电场特性，适用于电动汽车、太阳能逆变器、工业电源和储能系统等高功率应用场景。
类型：SiC MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
漏极电流（Id）：62A
导通电阻（Rds(on)）：10mΩ
封装类型：表面贴装（SMD）
工作温度范围：-55°C至150°C
栅极电荷（Qg）：120nC
短路耐受能力：600A（100μs）
CRSM062N10N采用先进的SiC技术，提供极低的导通和开关损耗，从而提升系统效率并减少散热需求。其10mΩ的低导通电阻使得在高电流条件下功率损耗显著降低。该器件具有出色的热管理性能，能够在高温环境下稳定运行，提高系统的可靠性和寿命。此外，CRSM062N10N具备优异的短路耐受能力，可承受高达600A的短路电流，增强系统在异常工况下的安全性。该MOSFET还具有快速开关特性，支持高频操作，有助于减小外部无源元件的尺寸和成本，提高整体系统的功率密度。
CRSM062N10N广泛应用于高功率密度和高效率要求的电力电子系统中，如电动汽车充电模块、车载DC-DC转换器、太阳能逆变器、储能系统、工业电机驱动和UPS（不间断电源）设备。其高可靠性和优异的热性能使其成为在严苛环境下工作的理想选择。此外，该器件也适用于需要高频率开关和高效能管理的高端工业电源设计。
C3M0065100K, SCT3160ALHR, CRSM080N12N
