电容：0.1μF (100nF)
　　电压：50V DC
　　温度特性：X7R（±15%）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　电容容差：±10%
　　封装尺寸：0805（2012公制）
　　介质材料：陶瓷（X7R）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　直流电阻（DCR）：低
　　绝缘电阻：≥1000MΩ 或 ≥100GΩ·μF（典型）
　　使用寿命：长寿命，无磨损机制
　　老化率：≤2.5% / decade hour
　　EMI滤波能力：不具备集成磁性元件，仅基础滤波功能

KC73129-M所采用的X7R介电材料是一种稳定的铁电陶瓷配方，能够在-55°C到+125°C的宽温度范围内维持电容值变化不超过±15%，这一特性使其非常适合用于那些工作环境温度波动较大的应用场景。相比Y5V或Z5U等材料，X7R具有更优的温度稳定性，虽然其介电常数低于高K材料，但足以满足大多数去耦和旁路需求。该电容器的0.1μF电容值是电源去耦中最常用的数值之一，可有效滤除高频噪声并稳定电源轨电压。在高速数字电路中，每个IC的电源引脚通常都需要一个0.1μF的陶瓷电容进行局部储能和瞬态电流补偿，KC73129-M正是为此类用途而优化设计的。
　　该器件采用0805（2012）封装，是目前最通用的小型化SMD封装之一，在保证足够焊接可靠性的前提下实现了较高的组装密度。相较于更小的0603或0402封装，0805在手工焊接和自动贴片过程中都更具优势，尤其适合工业级产品的批量生产。同时，50V的额定电压提供了足够的安全裕度，即使在24V或36V系统中也能确保长期可靠运行。对于工作电压为3.3V、5V或12V的逻辑电路而言，50V耐压意味着极低的电压应力，有助于延长电容器的实际使用寿命。
　　KC73129-M具备出色的频率响应特性，由于其低等效串联电感（ESL）和低等效串联电阻（ESR），在数十MHz乃至上百MHz频段仍能保持有效的去耦能力。这使得它不仅可用于常规的电源滤波，还能应对高速处理器、FPGA、ADC/DAC等器件产生的快速电流瞬变。此外，多层陶瓷结构赋予其良好的抗振动和抗冲击性能，适用于汽车电子、轨道交通和工业控制系统等严苛环境。

KC73129-M主要用于各类电子电路中的去耦、旁路、滤波和噪声抑制功能。在数字电路系统中，它常被放置于微处理器、微控制器、FPGA、ASIC等芯片的电源引脚附近，用于吸收高频开关噪声并提供瞬时电流支持，防止因电源波动引起的误操作或信号失真。在模拟电路中，该电容器可用于参考电压源的滤波、运放的电源去耦以及ADC/DAC前端的信号调理路径中，提升系统的信噪比和测量精度。此外，在DC-DC转换器、LDO稳压器的输入输出端，KC73129-M也广泛用于平滑电压纹波和增强环路稳定性。
　　在通信设备中，如路由器、交换机、基站模块等，该器件可用于接口电路（如USB、Ethernet、RS-485）的EMI滤波和电源净化，提高信号完整性和抗干扰能力。在工业自动化领域，包括PLC、HMI、传感器模块等，KC73129-M因其宽温特性和高可靠性而成为首选的去耦电容。汽车电子应用中，如车身控制模块、车载信息娱乐系统、ADAS传感器单元等，也需要此类符合AEC-Q200标准的高质量MLCC，尽管KC73129-M本身是否通过AEC认证需查阅具体数据手册确认，但其电气特性足以满足多数车规级设计需求。
　　此外，消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居设备中也大量使用类似规格的MLCC，KC73129-M凭借其稳定性能和成熟供应链，可作为关键被动元件参与这些产品的电源管理架构设计。