时间：2025/8/2 4:48:22
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G36N03K是一款由Giantec（巨积）公司生产的N沟道功率MOSFET。这款MOSFET具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性的特点，适用于多种功率电子应用。G36N03K通常采用TO-252（DPAK）封装，使其在中等功率应用中具备良好的散热性能和可靠性。该器件主要面向需要高效率和高性能的电源管理系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：40A（在Vgs=10V时）
导通电阻（Rds(on)）：最大值为8.5mΩ（典型值为7.5mΩ）
功率耗散（Pd）：83W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
G36N03K具备低导通电阻特性，使其在高电流应用中能够显著减少功率损耗和发热。其8.5mΩ的最大导通电阻确保了器件在高负载条件下仍能保持高效率运行。该MOSFET还具有快速开关性能，使其在高频开关应用中表现出色。
该器件采用先进的沟槽式技术制造，提高了电流密度和热稳定性。此外，G36N03K的TO-252封装形式提供了良好的散热性能，适合在空间有限的应用中使用。器件的栅极驱动电压范围较宽，可在+4V至+10V之间正常工作，便于与多种驱动电路兼容。
安全性方面，G36N03K具备过热保护和过流保护功能，确保在极端工作条件下的稳定性和可靠性。其高耐压能力（30V Vds）使其适用于多种电源管理场景。
G36N03K主要用于电源管理领域，包括DC-DC转换器、同步整流器、电池充电器、负载开关和电机驱动器等应用。由于其高电流处理能力和低导通电阻，该MOSFET非常适合用于高效率电源系统，如服务器电源、通信设备电源和工业自动化控制系统。
该器件也可用于电源分配系统、LED照明驱动电路和各种类型的开关电源（SMPS）。在汽车电子系统中，G36N03K可作为电源管理模块的一部分，用于控制和调节各种车载设备的电源供应。
Si4442DY-T1-GE3, IPD03N03L, FDS4435B, NVTFS5C421NLTAG, AO4406
