漏源电压(Vds)：550V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　漏极连续电流(Id)：20A
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　导通电阻(Rds(on))：0.27Ω（典型值）
　　漏源击穿电压：550V
　　最大功耗(Pd)：160W
　　封装形式：TO-247

IXTM20N55A 的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高系统效率。此外，该 MOSFET 还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，增强了器件的可靠性和耐用性。
　　该器件采用了 TO-247 封装，具有良好的散热性能，适用于高功率密度设计。其快速开关特性可减少开关损耗，提高系统的响应速度，适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器应用。
　　IXTM20N55A 还具有较高的雪崩能量承受能力，能够在负载突变或短路情况下提供一定的保护作用，防止器件损坏。其栅极驱动电压范围较宽（±30V），便于与各种驱动电路兼容，提高了设计的灵活性。
　　由于其高耐压能力和较强的电流承载能力，IXTM20N55A 可以在多种恶劣环境下稳定工作，适用于工业控制、电机驱动、太阳能逆变器、电动车充电系统等复杂应用场合。

IXTM20N55A 广泛应用于各类电力电子系统中，特别是在需要高效、高功率密度设计的场合。其主要应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 整流器、电机驱动器、电池管理系统、UPS（不间断电源）、光伏逆变器以及工业自动化设备等。
　　在开关电源中，IXTM20N55A 可作为主开关器件，用于实现高效的能量转换，适用于适配器、充电器、服务器电源等产品。在 DC-DC 转换器中，该 MOSFET 可用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构，以满足不同电压等级的供电需求。
　　在电机控制应用中，IXTM20N55A 可作为 H 桥结构中的功率开关，实现电机的正反转控制及调速功能。此外，在电动车充电系统和太阳能逆变系统中，该器件可用于实现高效的能量转换和管理，提高整体系统的能效水平。

STP20N55C5, FDPF20N55ES, FQA20N55