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2SD1000-T1 发布时间 时间:2025/4/30 17:16:00 查看 阅读:14

2SD1000-T1是一款NPN型双极性晶体管,主要用于高频开关和放大应用。该器件具有较高的增益和良好的频率特性,适用于通信设备、射频模块以及各种高频电子电路中。其封装形式为TO-39,适合表面贴装和焊接工艺,具备优良的散热性能。

参数

集电极-发射极电压(Vce):45V
  集电极电流(Ic):1A
  直流电流增益(hFE):最小值80,最大值300
  功率耗散(Ptot):62.5W
  过渡频率(fT):700MHz
  存储温度范围:-55℃至+150℃
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

2SD1000-T1晶体管具有高增益和宽频带特性,非常适合用于高频信号处理和放大。其低噪声设计使得它在射频电路中有较好的表现。
  此外,该器件采用TO-39金属封装,具有较强的机械稳定性和良好的散热能力,能够有效提升长期工作的可靠性。
  由于其出色的电气性能和热性能,这款晶体管广泛应用于通信系统、无线传输模块和其他高频电子设备中。

应用

该晶体管主要应用于以下领域:
  1. 高频放大器电路
  2. 射频开关
  3. 通信设备中的信号处理模块
  4. 无线传输模块
  5. 工业控制中的高频驱动电路
  6. 测试与测量设备中的信号调理电路

替代型号

2SC2891, 2SD1020

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