KBC1070-NU-SRA01 时间：2025/5/12 13:15:25 阅读：2

KBC1070-NU-SRA01是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于高频开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用。该器件采用先进的半导体工艺制造，具备低导通电阻和快速开关特性，能够显著提高系统的效率并降低功耗。
　　这款MOSFET属于N沟道增强型器件，具有出色的热性能和电气性能，适用于需要高效率和高可靠性的设计场景。

参数

型号：KBC1070-NU-SRA01
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：TO-263 (D2PAK)
　　最大漏源电压(Vds)：70V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大漏极电流(Id)：48A
　　导通电阻(Rds(on))：2.5mΩ
　　栅极电荷(Qg)：75nC
　　工作温度范围：-55℃至+175℃
　　开关速度：超快恢复

特性

KBC1070-NU-SRA01具有以下关键特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可减少传导损耗并提升系统效率。
　　2. 快速开关能力，适合高频应用，有效降低开关损耗。
　　3. 高雪崩能量能力，提供更强的鲁棒性和可靠性。
　　4. 支持大电流操作，满足高功率应用需求。
　　5. 具备优秀的热性能，能够在高温环境下稳定运行。
　　6. 小型化的封装设计，节省PCB空间，便于布局与散热管理。
　　这些特性使得KBC1070-NU-SRA01在众多电力电子领域中表现出色。

应用

KBC1070-NU-SRA01广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源(SMPS)，包括AC-DC适配器和充电器。
　　2. DC-DC转换器，用于工业设备、通信基站和汽车电子。
　　3. 电机驱动，特别是无刷直流电机(BLDC)控制。
　　4. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
　　5. 电动车和混合动力车的电池管理系统(BMS)。
　　6. 各类负载切换和保护电路。
　　其卓越的性能和可靠性使其成为上述应用的理想选择。